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H-Brücke: Kapazität zwischen Drain und Source zum entkoppeln (Elektronik)

verfasst von John, 12.04.2012, 15:21 Uhr

Hallo,

ich sehe mir gerade das Datenblatt zum A 4989 an (siehe Anhang). Bei den Application Information (S. 15) lese ich folgenden Hinweis:

"4. Consider the use of small (100 nF) ceramic decoupling
capacitors across the source and drain of the power FETs to limit fast transient voltage spikes caused by trace inductance."

Habe ich das richtig verstanden dass sich die Kapazität zwischen D und S der MOSFETs befinden soll? Ich habe soetwas noch nie bei einer H-Brücke gesehen und mir fehlt das Hintergrundwissen, das wirklich zu beurteilen. Stellt das C nicht eine Art Kurzschluss bei den hohen Schaltfrequenzen dar, wie sie hier auftreten?

Wäre nett, wenn jemand das mal kommentieren könnte.

Vielen Dank!
John

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