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Frage zum Gate anschluss des FET (Elektronik)
» muss man beim G anschluss des FET nen wiederstand vorschalten
Man pflegt in der Regel vor das Gate, möglicht in der Nähe des Power-MOSFET, ein Widerstand in der Regel im unteren 10-Ohm-Bereich zu schalten.
Damit will man verhindern, dass der FET bei der steilen Schaltflanke auch noch sehr hochfrequent aperiodisch schwingt.
Man kann diesen Widerstand auch höher, im 100-Ohm-Bereich, dann ansetzen, wenn dies die Frequenz zulässt. Soll heissen, dass im Verhältnis zur Frequenz (Periode) die Flankensteilheit noch gross genug sein soll. Diese Steilheit wird nämlich durch die Tiefpassfilterwirkung dieses Widerstandes und der oft relativ grossen Gate-Source-Kapazität reduziert.
» oder kann der direkt an die spannungsquelle gehangen werden damit d-s abgeschaltet wird
Es geht in meiner Erklärung um den Widerstand zwischen Signalquelle und Gate-Eingang.
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Gruss
Thomas
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