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Frage zum Gate anschluss des FET (Elektronik)

verfasst von rocco0384 , 13.02.2012, 18:25 Uhr

muss man beim G anschluss des FET nen wiederstand vorschalten oder kann der direkt an die spannungsquelle gehangen werden damit d-s abgeschaltet wird

VDSS = 55V
RDS(on) = 17.5mΩ
ID = 49



VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V
IAR Avalanche Current 25 A
EAR Repetitive Avalanche Energy 9.4 mJ
dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt ƒ 5.0 V/ns
TJ Operating Junction and -55 to + 175
TSTG Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case )
°C
Mounting torque, 6-32 or M3 srew 10 lbf•in (1.1N•m)

Gesamter Thread:

Spannungsteiler mit 2 verschiedenen zuleitungen lest im text - rocco0384, 12.02.2012, 17:35 (Elektronik)

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