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P-MOS oder N-MOS fuer Tiefentladeschutz (Elektronik)

verfasst von tts, Neckarsulm, 12.02.2012, 13:12 Uhr

» Servus,
»
» auf dem Link http://www.dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.9.5
» wird ein P-MOSFET für den Tiefentladeschutz eingesetzt.

Hi,
ein N-MOS könnte in der Masseleitung analog zum P-MOS eingesetzt werden.
Nachteil: Der Massebezug geht an der restlichen Schaltung verloren - Störspannungen können ungewollt funktionen auslösen.
Mögliche Abhilfe: einen relativ hohen Widerstand vom ungeschaltenen +Pol zum geschaltenen Masse-Pol (hinter dem N-MOS-Abschalttransistor).
Das zieht das Massepotential nach einer Abschaltung nach +Ub als alleiniges übrigbleibendes Potential.
Voraussetzung: keine weiteren Spannungsquellen.

(Vergleiche E-Car-Technik mit HV und NV-Speichern)
wenn der HV-Speicher so abschalten würde, dann wäre die HV am Massepotential des NV-Systems!!
CU
st

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