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Ungünstige Erwärmung FET's (Elektronik)

verfasst von Torsten , 21.11.2011, 22:06 Uhr

» Die Gate Widerstände liegen bei 330Ohm. In einem anderen Forum habe ich
» zum Thema ir2184 dass man die Gatewiderstände zwischen 10-100Ohm wählt
» allerdings ist das entweder Unsinn oder für mich nicht nachvollziehbar.

tau = R * C

Dazu kommt noch, dass der Treiber bei hohen du/dt gegen die Millerkapazität arbeiten muss, um das Gate auf dem richtigen Potential zu halten, was eine niederohmige Anbindung erfordert. Das ist bei Dir aber nicht so kritisch, da Du mit niedrigen Spannungen arbeitest.

» Würde man einen Gatewiderstand wählen, könnte man laut Näherung auch einen 1.5k Widerstand einsetzen.

Die Schlussfolgerung erschließt sich mir irgendwie nicht.
Bei 25 kHz hast Du eine Periodendauer von 40 µs. Rechne Dir mal die Grenzfrequenz von dem resultierenden Tiefpass aus 1k5 und der Gatekapazität aus. Die FETs wären prozentual gesehen viel zu lange im linearen Bereich.

» Ich bin für eure Vorschläge offen.

Setz die Gatewiderstände auf 33 Ohm, es sei denn Du hast gute Gründe für die 330 Ohm.

» Anbei ein schnelles Schaltbild.

War wohl zu schnell, oder hast Du VS wirklich floatend?
33 µF (C4) sind auch ein wenig übertrieben und können sogar im Einschaltmoment Probleme bereiten, weil sie zu langsam geladen werden. 470 nF bis 1 µF sind vollkommen ausreichend.

Gruß
Torsten