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Board-AnsichtMOSFET gesucht (Elektronik)
verfasst von schaerer
, Kanton Zürich (Schweiz), 21.10.2011, 09:38 Uhr
» » Dann such Dir einen passenden Logic-Level-Power-MOSFET.
» »
» » Ich wüsste den IRLZ34, aber der ist mit R_ds_on von minimal 50 m-Ohm ja
» » auch nicht geeignet:
» » http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/irf/irlz34.pdf
»
» Seh ich das richtig, dass die Gate-Spannung maximal 10V betragen darf?
Korrekt. Das steht ja in "Maximal Rating".
» Wenn ja, dann ist er nichts für mich, ich krieg hier 12V um die Ohren
» gehauen.
Dann brauchst Du auch kein Logiclevel-MOSFET.
Ich frage mich gerade, wieso ich Dir das überhaupt vorgeschlagen habe. Du hast geschrieben: "An dem passt nicht wirklich gut, dass er mit 12V am Gate noch einen massiven Widerstand aufweisst. Ich brauch einen, der bei 12V richtig weit aufmacht."
Eigentlich meinst Du zumacht, - der Drain-Source-"Schalter" schliesst sich. 
Ich erkenne, ich dachte, dass Dir mit einem Logiclevel-MOSFET vielleicht gedient ist, weil der dann mit 12 V besonders niederohmig wird. Das wird auch stimmen. Dass er nur mit ±10V maximal belastet werden kann, wusste ich nicht, leuchtet aber ein, weil die Metalloxydschichtdicke entsprechend der höheren Empfindlichkeit eben dünner ist.
Die Antwort eines andern, der Dir einen MOSFET empfiehlt der besser der Betriebsspannung angepasst ist, das bessere Resultat liefert, weil bei dem der Kanalwiderstand apriori niederohmiger ist, ist natürlich richtig. Er zeigt ja eine interessante Tabelle. Das Problem ist auch immer wieder, ob das Wunschbauteil als Einzelstück oder geringen Stückzahl bei den allgemein bekannten Distris, wie z.B. bei Distrelec oder Farnell erhältlich ist.
» Ich würde ungerne einen Spannungsteiler am Gate einsetzen, ich
» hab wenig genug Platz auf der Platine.
Aber ein niederohmiger Gatevorwiderstand, so etwa 10 bis 100 Ohm direkt vor das Gate ist stets empfehlenswert, um allfälliges Schwingen beim Durchschalten zu verhindern. Die Wahl dieses Widerstandes ist in Deinem Fall eh unkritisch und darf auch etwas höher sein, weil die PWM-Frequenz ja nur 100 Hz beträgt.
Was ist der Zusammenhang? Wenn der Vorwiderstand vor dem Gate zu hochohmig gewählt wird, reduziert dies dies die Flankensteilheit bei Schalten des Drainstromes, weil sich die Zeitkonstante R_gate*C_gate/source auswirkt. Bei höheren Frequenzen fällt das ins Gewicht und die Verlustleistung steigt. Vorteil einer kleinen Steilheitsreduktion ist die reduzierte HF-Bandbreite (Oberwellen) und somit geringeres Radiostörrisiko . Dies einfach noch am Rande angedeutet...
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Gruss
Thomas
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, 20.10.2011, 21:08, 20.10.2011, 22:11, 21.10.2011, 09:38, 21.10.2011, 18:49, 21.10.2011, 19:05, 22.10.2011, 09:41, 21.10.2011, 21:36