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Transistor in Sättigung (Bauelemente)
» » Interessant
» » wäre noch eine Ergänzung, was zwischen den Punkten
» » 1) und 2) passiert. M.W. kann man die Sperrung
» » verbessern, wenn man (bei NPN) eine negative
» » Basisspannung anlegt.
M.W. Kann man das nicht. Auch zeigt die Kennlinie ein Ausgangskennlinienfeld das nicht dem eines realen Si-BJTs entspricht.
Übrigens laufen die die Kennlinien rechts vom Knie nach links verlängert links auf der X-Achse in einem Punkt, Early-Spannung genannt, zusammen.
Versuch das mal in dem Bild Harald, es geht nicht!
http://de.wikipedia.org/wiki/Datei:Early-Spannung.svg
» » Gruss
» » Harald
»
» Leser hat auch was sehr schönes gefunden.
» Im Abschnitt 1.3.2.1. Wird auch auf eine negative Basisvorspannung
» hingewiesen.
»
» http://www.elektronik-kompendium.de/forum/forum_entry.php?id=149550&page=0&category=all&order=time
Aua! Es geht darum mit Hilfe der negativen Vorspannung einen höheren Ausräumstrom zu erzeugen. Hat mit dem hier besprochenen gar nichts zu tun.
Wie würde Patrick jetzt wohl sagen:
» Wie es zu diesem Satz kam ist mir nicht ganz klar. Vermutlich hat mich eines meiner Fachbücher dazu angeregt.
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