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Transistor in Sättigung (Bauelemente)
» Natürlich wäre das möglich, aber eher nicht mit zuwenig Worten. Vielleicht
» müsste man der Sache besser einen kleinen Abschnitt
» Natürlich wäre das möglich, aber eher nicht mit zuwenig Worten. Vielleicht
» müsste man der Sache besser einen kleinen Abschnitt widmen.
Eine Anmerkung dazu. Ich steige hier ein, bevor mir Harald die Spannungssteuerung in den Mund legte. Grad noch mal das Original,
Bei AP4 ist ein Sättigungszustand erreicht
(Ein interessanter für das schalten, klar. Mit der niedrigsten Uce)
Aber eben nicht "der Sättigungszustand", alles ab AP3 ist doch gesättigt leitend. Es ist eben gerade nur der "Sättigungszustand an AP4" den man eben auch nur durch übersteuern erreicht. Und damit das Ganze ein erklärungstechnischen Sinn ergibt muss doch das -drastische nachlassen der Verstärkung ab AP3- erwähnt werden, wozu sonst sollte man den Basistrom, hallo Harald, ansonsten unnötig erhöhen (übersteuern eben).
Ohne nähere Erklärung zu AP3 fehlt da meiner Meinung etwas entscheidendes.
Ist nicht daran "der Satz" krepiert?
Die Halbleiterphysik muss doch erstmal garnicht im Details weiter bemüht werden.
Uce Rest ist eben die Verallgemeinerung, die wenn es konkret wird, z.B. im Datenblatt, als -sat- unter Betriebsbedingungen angegeben wird. "at specified saturation conditions" "bei gegebenen Bedingungen im Übersteuerungsbereich"
Nur als Gedanke dazu.
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