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Falsches BJT Grundverständnis (Bauelemente)
» » Harald hat recht.
» » Ingo, Du wirfst da FET und BJT/Pentode total durcheinander! Damit bist
» Du
» » in bester Gesellschaft.
»
»
» Hallo Tino,
» nein, ich verwechsle den FET und BJT definitiv nicht. Es kommt einfach auf
» das (Funktions-)Modell an, welches man zugrunde legt. Verwendet man das
» Bändermodell, dann wird der Bipolartransistor als spannungsgesteuert
» angesehen (Ic=f(Ube)). Man kann hiermit das Verhalten des Transistors sehr
» gut beschreiben. Eigentlich ist es auch ja wurscht, da Spannung und Strom
» sowieso in Zusammenhang stehen.
» Ich nehme an, es ist nicht sinvoll Referenzen aufzuführen, da du eine
» gewisse Abneigung gegen Bücher zu haben scheinst.
»
» Grüße,
» Ingo
Hallo Ingo,
aus der Steuerspannung Ube auf den Collektorstrom Ic zu schließen ist praktisch kaum zu machen. Bändermodell hin oder her, braucht der Elektroniker nicht wirklich.
Da spielt die Temperatur und die Diodenkennlinie eine Rolle die Du in die Formel mit einbringen musst.
Also sehr sehr schwierig Ic=f(Ube)anzuwenden.
Letztlich gehen die Berechnungen dann doch über den direkten Weg
Ic=f(Ib).
Das ist weitgehend temperaturunabhängig und Diodenkennlinienunabhängig sowieso.
Diese Stromsteuerung ist eine besondere BJT-Eigenschaft, wer die zu nutzen weiß ist ganz klar im schaltungstechnischen Vorteil.
Es gibt zig Bücher in denen erklärt wird wie nachteilig der Basisstrom doch schaltungstechnisch sei und das die Zukunft dem FET gehöre. Wenn man die Stromsteuerung nicht anzuwenden weiß, folgert und rechnet man halt so.
Es wundert mich nicht, dass Buchautoren die von den Röhren bekannte und etablierte Definition über die Steilheit S bevorzugen. (Und kleinsignalmässig macht das auch wirklich Sinn.)
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