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Transistor in Sättigung (Bauelemente)
» » Aufgrund Deines Hinweises habe ich die betreffende Textstelle
» gestrichen.
» »
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» » "Im Sättigungszustand wird die Spannung zwischen Kollektor
» » und Emitter als Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
» » UCEsat bezeichnet und ist
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» an der Sättigungsgrenze (dem Übergang zur Übersteuerung)
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» » gleich der Basis-Emitter-Sättigungsspannung UBEsat."
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» Dann würde der Satz doch stimmen
Ich habe mir grad mal etwas das Datenblatt des ollen "Leistungspferdes" 2N3055 - den ich früher viel brauchte - angesehen und neige zur Ansicht, dass die Gleichsetzung "gleich der Basis-Emitter-Sättigungsspannung UBEsat" nicht zutrifft...
Es gibt mit dieser Formulierung zuviel Unsicherheit (Heisenberg lässt grüssen...
), dass es wohl besser ist, diesen Satz wegzulassen. Es braucht ihn auch gar nicht.
--
Gruss
Thomas
Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9
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