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MOSFET, Darlington und Relais mit Schnappverhalten (Elektronik)

verfasst von schaerer  , Kanton Zürich (Schweiz), 13.06.2011, 08:10 Uhr

» » » Und ich hatte extra einen Darlington mit Ausräumwiderständen genommen,
» » um
» » » eben Bauteile zu sparen.
» »
» » Da bin ich ja schön Reingefallen!
» » Und die Stromverstärkung reicht bei mir dann auch nicht.
» » Die 0,6s mit einem einfachen Transistor waren mir zu kurz.
» » Knappe 1,2s sind allerdings auch noch nicht die Welt.
»
» Ausräumwiderstände nicht vergessen!

Die sind hier, bei diesem elend langsamen Schaltvorgang, nicht zwingend nötig. Trotzdem ist es natürlich grundsätzlich nicht "sauber", wenn es ein Zustand gibt, wo die Basis in der "Luft" hängt.

Man könnte aber gerade so gut gleich einen Power-MOSFET einsetzen und dadurch könnte man CT kleiner und RT grösser wählen. Natürlich mit Ausschalt-Entlade-Diode parallel zu RT (T = Timing).

Es gibt natürlich mit dem MOSFET den Nachteil, dass das Anziehen des Relais etwas langsamer vor sich geht als beim Einsatz eines Darlington. Da gäbe es aber noch Relais mit Schnappverhalten, - quasi ein mechanischer Schmitt-Trigger, wenn man es so nennen will.

--
Gruss
Thomas

Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9

Gesamter Thread:

Umsetzung einer Einschaltverzögerung - cas, 12.06.2011, 18:36 (Elektronik)

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