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Komische Situation am MOSFET.... (Elektronik)

verfasst von Altgeselle , 01.06.2011, 16:34 Uhr

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» » » » » » nur was bewirkt die Diode denn wenn sie parallel zum Widerstand
» » ist
» » » ?
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» » » » » Der langen Rede kurzer Sinn, die Dioden schaffen für Ladung und
» » » » Entladung
» » » » » zwei getrennte Wege. D1 zum Aufladen von C1, D2 zum Entladen.
» » » » »
» » » » In diesem Fall ist die Diode gemeint, die ich nachträglich am Pin 3
» » » » hinzugefügt habe, weil der Anwender, wie auch immer er heißt, sich
» » über
» » » » eine zu flache Abfallende Flanke beklagte.
» » »
» » » Dass nur beim Ausschalten des MOSFET dies so ist, ist mir beim
» » Betrachten
» » » der NE555-Ausgangsstufe (und auch bei der LMC/TLC555-Ausgangsstufe)
» » nicht
» » » klar. Eigentlich müssten beide Flanken etwa gleich steil ausfallen,
» und
» » » das wegen der Gate/Source- und wegen der Gate/Drain-Kapazität. Hier
» » kommt
» » » beim Flankendurchgang noch der Millereffekt ins Spiel. Aber auch das
» » würde
» » » sich auf beide Flanken gleichermassen auswirken. :lookaround:
» » :confused:
» » Hallo,
» » nein das ist nocht so. Da der BC550 bei ca. 3,8V Gate-Spannung leitend
» » wird, ist die Aufladung
» » asymmetrisch bezogen auf 12V. Die ansteigende Flanke erscheint
» » dann "schneller" als die abfallende.
»
» Ja, das leuchtet ein. Die 1N914/1N4148-Diode könnte abhelfen. Man könnte
» auch generell beschleunigen durch eine passende Kapazität parallel zu Rx1.
» Aber nicht übertreiben wegen dem NPN-Transistor.
»
» Ob ein schnellerer NPN-Transistor noch etwas bringt, wäre eine Ueberlegung
» wert...

- habs eben mal durchsimuliert. Die Diode bringt beim Einschalten nichts,
aber beim Ausschalten verringert sich die Abfallzeit des Stromes von 1µs auf 80ns (!).
Ob das aber erstrebenswert ist (Leitungsinduktivitäten)
das ist die Frage...
Grüße
Altgeselle