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Board-AnsichtMOS FET Verarmungstyp n Kanal Funktionsweise (Elektronik)
Hey alle zusammen,
morgen habe ich einen Vortrag zu halten über einen MOS FET Verarmungstyp (N Kanal) und möchte dabei dieses Bild zur Funktionweise benutzen (http://www.inf.fu-berlin.de/lehre/WS00/peg/folien/Peg_v6.pdf) Seite 16.
Allerdings weiss ich nicht genau wie ich das am besten anstellen sollte. Hab ich das so richtig verstanden?
Zwischen den 2 Inseln Drain-Source liegt eine schwache n-Dotierung, somit ist der FET selbstleitend. Am Drain Source liegt eine Spannung an - an Ugs keine (0 Volt). Sobald die Spannung am Ugs negativer ist als die an der Source sperrt dieser. Diese weiße Punkte auf diesem Schaubild sind wahr. die Positiven Elektronen die vom Source Eingang vom Drain aufgenommen werden (Abfluss). Am P Substrat (Bulk) bleiben die negativen Elektronen.
Also bis dahin bin ich selbstständig gekommen, und nicht mal bei dem bin ich mir sicher. Also wie gesagt, würde mich freuen wenn mir jemand ein wenig helfen könnte, und wenns geht, so schnell wie möglich.
Im vorraus vielen Dank und liebe Grüße,
nbd92
Gesamter Thread:
, 18.04.2011, 11:25