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Board-AnsichtTemperaturproblem Mosfet (Schaltnetzteil) (Elektronik)
verfasst von BataillonDAmour
, 11.04.2011, 01:20 Uhr
Hi,
grosse Teile des Schaltplans kann ich auch nicht entziffern.
Hast du tatsächlich die Gate-Source-Spannung gemessen oder lediglich die Spannung zwischen Gate und GND? Ist R1 dein Strommess-Widerstand, an dem du die 10-15V im Kanal1 misst? Wenn das so ist, ist das nicht gut. Wie gross ist R1?
Hast du darauf geachtet, dass die beiden Primärwicklungen gegenläufig zueinander sind und eine möglichst gute magnetische Kopplung zueinander besitzen? Poste bitte ein Foto deines Aufbaus! Die Drain-Spannungsverläufe sehen gar nicht gut aus.
Generell:
Da die Sources der FETs möglichst niederimpedant mit den GNDs der Treiber verbunden sein sollten - insbesondere wenn man im ns-Bereich schalten will, würde ich R1 entweder zwischen Versorgungsspannung und Mittelanzapfung der Wicklungen legen, oder besser noch jeweils einen R in Reihe zum Drain jedes FETs. Das hat zwei Vorteile: die FETs schalten schneller und verlustärmer + Du misst nicht die durch die Sources abgeleiteten Gateströme mit.
Die beiden Dioden sind überflüssig. Der IRFB3607 besitzt intern eine allen Ansprüchen genügende, antiparallele Diode.
Grüsse.
Gesamter Thread:
, 11.04.2011, 01:20