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Treiberschaltung für Hochleistungs IGBTs (Elektronik)

verfasst von BataillonDAmour , 09.03.2011, 18:26 Uhr

» » Rechteckspannungen können ziemlich problemlos transformiert werden ...
»
» Solange sie symmetrisch sind.
» Oder wie bei dir über den Kondensator der pos. Anteil mit dem negativem
» symmetriert werden.
»
» Jetzt ist halt die Frage: wie sieht die zu übertragene Kurvenform aus?
» Liegt die für eine gewisse Totzeit auf Null und ist sie nicht symmetrisch,
» ist der Nullpegel hinter dem Trafo nicht mehr =0. Kommt die Ansteuerung
» damit klar? [usw.]

Ich wollte mich eigentlich diesbezüglich mit meinem lapidaren Verweis auf das TI-AppGuide aus der Affäre ziehen . Zur DC-Restoration im Falle einer UNIpolaren MOSFET-Ansteuerung benötigt man lediglich eine Diode:

Mit eine bipolare Gatesteuerung mit Pulsübertragern hab ich mich nie beschäftigt. Ist - wie du schon sagst - sicher nicht sinnvoll. Aktives Gate-Sperren deutet auf hohe Spannungstransienten am IGBT hin. Die führen dann durch die hohe Koppelkapazität des Übertragers nur zu EMV-Problemen im Steuerteil.

Daher ganz Deiner Meinung:

» Daher würde ich zu Gleichspannungserzeugung und Trennung durch Optokoppler
» raten.

Grüsse.