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Treiberschaltung für Hochleistungs IGBTs (Elektronik)

verfasst von Steffi , 08.03.2011, 21:04 Uhr

Hallo zusammen,

ich hab seit einigen Tagen das Problem, dass ich ein IGBT mit +-15V ansteuern will, aber dieses Signal nicht erzeugt bekomme.
Bis jetzt habe ich zwei Rechtecksignale (0-15V) erzeugt, die um 180° versetzt sind und in entgegengesetztem Wickelsinn auf einen Ferritkern angebracht sind, um auf der Sekundärseite ein Rechtecksignal (+-15V) abgreifen zu können. Jedoch hatte ich nicht bedacht, dass man Rechtecksignale nicht so einfach transformieren kann und somit nur Spannungsimpulse sekundär zu sehen sind.
Nun mein zweiter Ansatz: Die Transistorschaltung im Anhang soll während des positiven Signals des Taktes von V2 die beiden hinteren Transistoren ständig so umschalten, dass an der Primärspule L2 ein "hochfrequenter Sinus" anliegt. Dieser soll um û nach oben geschoben sein, sodass die Spannung an der Spule L2 nur positive Werte annimmt. Das Gegenstück dazu liefert dann eine identische Schaltung mit dem um 180° verschobenen Rechtecksignal und der (im entgegengesetzten Wickelsinn angebrachten) Primärspule L1 auf dem gleichen Kern, was ich hier nun erst einmal weg gelassen habe.
Schlussendlich wird der Kern in der ersten Hälfte der Taktperiode in die eine Richtung und in der zweiten Hälfte der Taktperiode in die Gegenrichtung magnetisiert und es können hochfrequente Impulse zur Gateansteuerung sekundärseitig abgegriffen werden. Das Gate wird in der ersten Hälfte der Taktperiode "aufgedrückt" und in der zweiten Hälfte "geschlossen".

Zu beachten ist zusätzlich, dass ich bereits mit einer Taktfrequenz von 45kHz arbeite und deshalb möglicherweise MOSFETs statt Transistoren besser zum Umschalten geeigent sein.

Ich hoffe, dass meine Erklärung verständlich war, ich keinen Denkfehler drin habe und mir jemand helfen kann.
Auch eine ganz andere funktionierende Lösung wäre eine tolle Unterstützung.