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Gegentaktendstufe - Frage (Elektronik)

verfasst von omar, 24.02.2011, 22:55 Uhr
(editiert von omar am 24.02.2011 um 23:03)

» » Meine 1. Frage wäre, wie sehr hilfreich ist diese R-D-Kombination?

» »@hws: Für was willst du dieses Feature benutzen?

Ich will es ja eigentlich gar nicht benutzen, wollte nur wissen ob es "unbedingt" nötig ist oder sehr von Vorteil.
Da mein IC der das PWM erzeugt nicht genügend Strom liefert für das Leistungs-MOSFET, daher möchte ich auf die schnelle die Gegentaktendstufe benutzen.

» »@schaerer: » Das kommt ganz auf die Anwendung an. Ich kann mir vorstellen, wenn eine
» Nichtüberlappungsfunktion erreicht werden soll, dann ist das mit
» unterschiedlicher Flankensteilheit möglich. Aber man müsste in diesem Fall
» das genauer betrachten.

Eine Nichtüberlappungsfunkton von was? Ich find den Bezug zur Frage nicht, sorry!

» » 2. Frage bezüglich der Platzierung der Komplementär Transistoren; macht
» es
» » ein Unterschied ob PNP oben oder unten platziert ist?

» »@hws:nur musst du dann auch den Plus und Masseanschluss vertauschen. und warum vertauschen?

» »@schaerer: Nein, das geht nicht, weil sonst das Emitterfolgerprinzip nicht mehr
» gilt.
»

Ja. Tut mir leid ich war mit den Gedanken bei CMOS-Transistoren, bei denen ja der PNP-Komponente in der Regel oben platziert ist, war etwas verwirrt. Diese Frage hat sich erledigt.

Danke vielmals euch beiden für die Antworten!

gruß
omar

Gesamter Thread:

Gegentaktendstufe - Frage - omar, 24.02.2011, 21:46 (Elektronik)

Gegentaktendstufe - Frage - hws, 24.02.2011, 22:21

Gegentaktendstufe - Frage - schaerer, 24.02.2011, 22:29

Gegentaktendstufe - Frage - omar, 24.02.2011, 22:55

Gegentaktendstufe - Frage - schaerer, 25.02.2011, 09:12

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Gegentaktendstufe - Frage - omar, 26.02.2011, 16:13

Gegentaktendstufe - Frage - hws, 26.02.2011, 16:32

Gegentaktendstufe - Frage - omar, 26.02.2011, 19:28