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Board-AnsichtGegentaktendstufe - Frage (Elektronik)
verfasst von schaerer
, Kanton Zürich (Schweiz), 24.02.2011, 22:29 Uhr
» Abend,
»
» ich möchte gerne die im unteren Bild dargestellte Gegentaktendstufe
» verwenden, um ein Leistungs-MOSFET anzutreiben. (Eigentlich ohne R1, R2,
» R3 und D1).
» Am IN (Input) liegt ein PWM Signal, welches von einem IC kommt.
»
» 
»
» In der Erklärung zu der Schaltung steht geschrieben:"Durch
» Parallelschalten einer Widerstands-Diodenkombination, die für den
» Einschaltvorgang den Gesamtwiderstand reduziert, kann man erreichen, dass
» der Leistungstransistor schneller ein- als ausschaltet".
»
» Meine 1. Frage wäre, wie sehr hilfreich ist diese R-D-Kombination?
Das kommt ganz auf die Anwendung an. Ich kann mir vorstellen, wenn eine Nichtüberlappungsfunktion erreicht werden soll, dann ist das mit unterschiedlicher Flankensteilheit möglich. Aber man müsste in diesem Fall das genauer betrachten.
» 2. Frage bezüglich der Platzierung der Komplementär Transistoren; macht es
» ein Unterschied ob PNP oben oder unten platziert ist?
Du meinst also PNP mit NPN austauschen?
Nein, das geht nicht, weil sonst das Emitterfolgerprinzip nicht mehr gilt.
Man kann eine solche Schaltung auf diese Weise schon realisieren, ist aber recht aufwändig, weil es geht darum, dass ein massiver Stromfluss durch beide Transistoren vermieden werden muss. Weil dieser Aufwand zu gross ist, ist die Emitterfolgerschaltung die einfachste und übliche Lösung.
--
Gruss
Thomas
Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
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Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
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