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Gegentaktendstufe - Frage (Elektronik)

verfasst von omar, 24.02.2011, 21:46 Uhr

Abend,

ich möchte gerne die im unteren Bild dargestellte Gegentaktendstufe verwenden, um ein Leistungs-MOSFET anzutreiben. (Eigentlich ohne R1, R2, R3 und D1).
Am IN (Input) liegt ein PWM Signal, welches von einem IC kommt.



In der Erklärung zu der Schaltung steht geschrieben:"Durch Parallelschalten einer Widerstands-Diodenkombination, die für den Einschaltvorgang den Gesamtwiderstand reduziert, kann man erreichen, dass der Leistungstransistor schneller ein- als ausschaltet".

Meine 1. Frage wäre, wie sehr hilfreich ist diese R-D-Kombination?
2. Frage bezüglich der Platzierung der Komplementär Transistoren; macht es ein Unterschied ob PNP oben oder unten platziert ist?

Danke
Gruß
Omar

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Gegentaktendstufe - Frage - omar, 24.02.2011, 21:46 (Elektronik)

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