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Fragen zum Artikel "MOSFET Schaltverstärker" (Elektronik)

verfasst von Steinert, 13.01.2011, 03:59 Uhr

Hallo,

Link hier: http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/powsw1.htm

1. "Welche Bedeutung hat der Widerstand R1 am Eingang des Gates beim MOSFET? Wozu soll dieser etwas nützen, denn es ist eine Spannungssteuerung? Einerseits kann die Gate-Source-Kapazität eine Treiberschaltung destabilisieren, d.h. sie kann sie in Schwingungen versetzen, anderseits kann die MOSFET-Schaltung bei direkter sehr niederohmiger Ansteuerung selbst in sehr hochfrequente Schwingungen geraten. Bei hochfrequenten Schaltungen muss R1 sorgfältig meist niederohmig gewählt werden, damit R1 und die Gate-Source-Kapazität nicht eine zu niedrige störende Tiefpassfilter-Grenzfrequenz erzeugt. Anstelle von R1 werden manchmal auch kleine Induktivitäten eingesetzt. In unseren Beispielen, bei denen es stets um langsame Schaltvorgänge geht, darf R1 locker einen Wert von 1 k-Ohm haben und damit ist man in Bezug auf Stabilität auf der sicheren Seite."

Möchte der Autor damit sagen, daß die Größe des Widerstands R1 bei niedrigeren Frenquenzen keine große Rolle spielt?

2. "und darum gibt es auch sogenannte Highside-MOSFET-Treiberstufen, bei denen N-Kanal-MOSFETs im Einsatz sind und damit die Gate-Steuerspannung hoch genug ist, muss diese mittels einer Switched-Capacitor-Boostschaltung hochtransformiert werden."

Wird hier gemeint, daß die Gate-Ansteuerspannung hoch genug sein muß? Wie hoch denn?

Gruss
Steinert



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