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Strompfad bei "Thyristor"? (Bauelemente)

verfasst von el-haber, 18.11.2010, 17:37 Uhr

Hi Norbert,
schau dir doch mal den Schichtaufbau eines MOS-FET an und nimm auch das "Pocket" mit in die Betrachtung hinein. Du solltest auch bedenken, daß das Substrat ebenfalls ein Potential hat (meißt Masse).
So bekommst Du bei einem P-Kanal-Epitaxie Verarmungstypen locker einen doppelten PN-Übergang raus. Der N-Kanl Anreicherungstyp sollte das Problem auch haben.

Cu
st

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