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Faktor bei Eigebleitungsdichte ni(T) bei Si (Elektronik)

verfasst von geralds(R)  E-Mail, Wien, AT, 09.02.2010, 20:03 Uhr
(editiert von geralds am 09.02.2010 um 20:05)

» HI!
» Ich stolpere immer wieder über den Faktor "5,66" bzw. "3,88" bei die
» Berechnung von ni(T) von Silizium.Ich kenn zwar die ausführliche Formel
» mit ni(T) = [..]^3/2 * [..]^3/4 * exp(...) , aber woher die genannten
» Faktors kommen....? Bsp.:
» ni(T)= 5,66 * T^3/2 * exp(-Eg/2kT)
»
» Kann mir jmd. da weiterhelfen? Recherchiere schon als, aber entweder seh
» ich den Wald vor lauter Bäumen nicht, oder bin einfach unwissend.
»
» MfG Questi
---

Hast schon die Quark gefragt?
Die Up-Quark und die Down-Quark?
http://de.wikipedia.org/wiki/Quark_(Physik)
Und auch die einzelnen Elektronen bzw Photonen mitgerechnet,
die da fallweise abgehaut sind?

Vielleicht findest du sie da drinnen: :)

http://www.ipe.uni-stuttgart.de/content/pdf/Versuch4.pdf

http://lrs2.fmi.uni-passau.de/skripten/SS04/TI1_Kap2.1-2.2_Halbleiter.pdf

http://iwenzo.de/wiki/Halbleiter

gerald
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--
...und täglich grüßt der PC:
"Drück' ENTER! :wink: Feigling!"

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Faktor bei Eigebleitungsdichte ni(T) bei Si - Questi, 09.02.2010, 18:56 (Elektronik)
Faktor bei Eigebleitungsdichte ni(T) bei Si - geralds(R), 09.02.2010, 20:03
Faktor bei Eigebleitungsdichte ni(T) bei Si - Questi, 09.02.2010, 21:34
Faktor bei Eigebleitungsdichte ni(T) bei Si - geralds(R), 09.02.2010, 22:47