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negative Basis-Emitter- / Gate-Source Spannung (Elektronik)

verfasst von Thomas Kuster  , Rorschach (CH), 31.12.2009, 13:07 Uhr

Hallo
als Fausformel gilt : Bei Bipolartransistoren darf die rückwärtige Spannung über einer Basis-Emitterstrecke 5 V nicht überschreiten. Bei Mosfet's besteht die Isolation aus nichtleitendem Siliziumoxid, die Isolationsspannung ist auf beide Seiten gleich gross (10-20V je nach Typ).

Mit vielen freundlichen Grüssen Thomas Kuster

Gesamter Thread:

negative Basis-Emitter- / Gate-Source Spannung - rk, 31.12.2009, 12:49 (Elektronik)

negative Basis-Emitter- / Gate-Source Spannung - x y, 31.12.2009, 12:54

negative Basis-Emitter- / Gate-Source Spannung - olit, 31.12.2009, 13:00

negative Basis-Emitter- / Gate-Source Spannung - schaerer, 01.01.2010, 14:11

negative Basis-Emitter- / Gate-Source Spannung - Thomas Kuster, 31.12.2009, 13:07

negative Basis-Emitter- / Gate-Source Spannung - rk, 31.12.2009, 13:22

negative Basis-Emitter- / Gate-Source Spannung - Kendiman, 31.12.2009, 14:38

negative Basis-Emitter- / Gate-Source Spannung - hws, 01.01.2010, 00:30

negative Basis-Emitter- / Gate-Source Spannung - rk, 01.01.2010, 15:09