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negative Basis-Emitter- / Gate-Source Spannung (Elektronik)

verfasst von rk, 31.12.2009, 12:49 Uhr

Hallo,

leider finde ich in den Datenblättern von npn-Transistoren oder n-Kanal-MOSFETs keine Angabe darüber, wie hoch eine negative Spannung zwischen Basis-Emitter, bzw. Gate-Source sein darf.
Im konkreten Fall handelt es sich hier um Ube = -10 V (bsp. BC141). Meiner Meinung nach dürfte dies dem Transistor nichts ausmachen, da kein Strom fließt. Was meint ihr?

Danke für eure Hilfe.

Grüße
Robin

Gesamter Thread:

negative Basis-Emitter- / Gate-Source Spannung - rk, 31.12.2009, 12:49 (Elektronik)

negative Basis-Emitter- / Gate-Source Spannung - x y, 31.12.2009, 12:54

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negative Basis-Emitter- / Gate-Source Spannung - Kendiman, 31.12.2009, 14:38

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