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Halbleiter: Ladungsträgerdichte (Elektronik)

verfasst von Questi, 16.12.2009, 21:30 Uhr

HI!
Folgende Aufgabe:
"Es soll die Löcherdichte in einem n- dotierten bzw. undotierten Si- Widerstand bei T= 300°k angegeben werden."

Keine weiteren Angaben.
Sehe ich das richtig, daß in diesem Falle p(T)= pi(T) ist ("i" für "intrinsisch")?
Also die Löcherdichte in beiden Fällen gleich? Weil n- Dotierung bedeutet ja höhere Elektronendichte bei gleichbleibender Löcherdichte, oder? Scheint mir irgendwie zu einfach, diese Lösung :-(.

Mit freundlichen Grüßen- Questi

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Halbleiter: Ladungsträgerdichte - Questi, 16.12.2009, 21:30 (Elektronik)
Halbleiter: Ladungsträgerdichte - x y, 16.12.2009, 23:01
Halbleiter: Ladungsträgerdichte - Questi, 16.12.2009, 23:26
Halbleiter: Ladungsträgerdichte - x y, 17.12.2009, 00:55
Halbleiter: Ladungsträgerdichte - Questi, 17.12.2009, 18:14