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SMPS bauen mit Mittelanzapfung (Elektronik)

verfasst von x y, 12.11.2009, 23:52 Uhr

» Auf Bild 1 und 2 sieht man gut, die hohe Spannungsspitze die bis auf 140V
» raufgeht, mein IPD12CNE8N hält aber nur 85V aus, das heißt, der FET geht
» in den Avalanchebetrieb, und Leistung wird in der internen Diode verbraten
» richtig?

Glaub ich nicht, das sieht mir einerseits nach WMMM aus, dein Scopemeter ist einfach dafür ungeeignet, andererseits vermute ich einen Layout- und/oder Designfehler in der Gateansteuerung. Die steigende Flanke des Gatesignals ist sowas von müde, da brauchst du dich über massive Umschaltverluste nicht zu wundern. Hast du denn dem Gatetreiber angemessene Stützkondensatoren verpasst?


» So, nun brauche ich ein RS-Snubber Glied, ich habe gehört, dass man das
» nicht richtig ausrechnen kann sondern nur durch "probieren", ist das
» richtig so?

Das konnte man schon vor mindestens 30 Jahren bestens berechnen, allerdings nur wenn man den Trafo vorher sinnvoll vermessen hat. Steht dir denn eine vernünftige RCL-Messbrücke zur Verfügung?

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