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Theorie Schaltnetzteil (Elektronik)

verfasst von senso , 12.09.2009, 20:35 Uhr

Hallo,
ich hab da mal ein paar Fragen. Ich möchte ein Gegentaktschaltnetzteil als Step-up Wandler bauen, von 12V gespeist.
Verstehe ich das richtig oder falsch:
Die Formel 0,5*L*I*I gibt die Energie an, die ein Schaltvorgang in die Speicherdrossel einleiten kann. Wenn ich also beispielsweise eine 1kHz Schaltfrequenz verwende, kann ich diese Energiemenge 1000mal pro Sekunde (abzüglich Verluste) an der Sekundärspule "rausziehen". Dies entspricht einer entsprechenden Leistung.
Wenn ich jetzt die Frequenz sagen wir mal auf 2kHz erhöhen würde. Könnte ich ja theoretisch gesehen doppelt so viel Energie durch den Kern "durchleiten". Jetzt macht sich aber ein anderer Gedanke breit: Der Blindwiderstand der Primärspule verdoppelt sich dadurch doch (X_L = 2*PI*f*L) und würde den Strom halbieren der durch die Spule fließen kann. Dadurch würde sich wiederum 0,5*L*I*I um 75% verkleinern. D.h. die Energie würde kleiner werden, die mein Hochfrequenztrafo durchleitet. Habe ich da einen Denkfehler?
Und was hat dabei die Duty cycle der MOSFETs für eine Aufgabe?
Ich hab gelesen, die darf maximal 50% sein. Wie kurz kann ich die machen? Oder für was brauche ich die?
Grüße
Bernhard

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