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PSPICE (Elektronik)

verfasst von Ingo, 24.08.2009, 12:46 Uhr

Hallo Nutzi,

ich finde es garnicht mal so schlecht, den 2N2222 in der Simulation bei 160 V zu verwenden, so wie es dein Prof. vorgeschlagen hat (auch wenn's in der Prxis nicht funktionieren wird). Denn es sensibilisiert dich vielleicht zusätzlich dazu, über das Ergebnis von Simulationen nachzudenken.

Hast du schomal probiert den 2N2222 in der Simulation einfach zu verwenden? Hast du mal versucht, die Durchbruchspannung zu simulieren, z.B mit einer DC-Analyse? Du wirst wahrscheinlich feststellen, dass du in der Simulation den 2N2222 auch bei 1000 V verwenden kannst. Ein Durchbrucheffekt wird da wahrscheinlich nicht zu sehen sein.
Der Hintergrund ist der, dass in den Standrardmodellen bei Bipolartransistoren einfach kein Druchbruch modelliert ist. Das Durchbruchverhalten von Bipolartransistoren ist ziemlich komplex. Da haben sich schon einige die Zähne dran ausgebissen, wie man das zuverlässig modellieren kann. Immerhin enthalten die einfachen Modelle oft den Paramter VCEO. Dieser gibt zwar die Durcbruchspannung an (um genau zu sein, die bei offener Basis), aber damit wird höchstens eine Warnmeldung ausgegeben. Auf die simulierten Kurven hat der Parameter kein Einfluss. Man kann den einfach ignorieren. Wenn man also Simualtoren verwendet, sollte man immer einen kritischen Blick auf die Modelle werfen.

Vielleicht hilft das,

Grüße,
Ingo

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