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Gehäusevarianten des BU508 / BU2508 (A, AF, AFI, DW, DF ...) (Elektronik)

verfasst von hboy , 10.08.2009, 00:24 Uhr

Ich scheitere die letzten Tage daran, die Unterschiede zwischen den Transistorvarianten herauszufinden. Den Transistor gibt es zunächst mal in mehreren Grundversionen: einer nichtisolierten Version (A) mit Kollektor am Montageloch, einer möglicherweise isolierten Version, die ich gerade leider nicht mehr benennen kann und einer vollisolierten Version im SOT199 (TO247) - Gehäuse.
Zunächst einmal stelle ich mir folgende Fragen:
- was bedeuten die zwei Buchstaben?
- Gibt es außer den Wärmeleitungseigenschaften, die die Maximalleistung über die Halbleitertemperatur beschränken, weitere elektronische Unterschiede?

Kann mir dabei jemand helfen?

greeds und besten Dank schonmal,
hboy

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