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Gate Treiber für LeistungsFET (Elektronik)

verfasst von ic², 29.08.2018, 11:54 Uhr

» » Die Leistungs FET's vertragen ja viel abwärme mit Kühlkörper. Meine Last
» » Impedanze ist zwischen 0,25 und 1 ohm geplant. Kann ich das nicht auch
» ohne
» » R realisieren, indem ich die FETs weniger aussteuer oder über PWM nur
» kurz
» » aktiviere?
»
» Hi,
» das wäre mir zu unsicher!
» Bei Batteriestapeln (LI-Technik) solltest du auf Sicherheit gehen.
» Betrachte bitte den Fall, MOS-FET legiert wegen z.B. EMV durch - ist also
» nichtmehr schaltbar und damit unkontrolliert niederohmig.
» mit einem definierten Wiederstand hast du dann wenigstens eine
» kontrollierte - wenn auch ungewollte Entladung.
» Den Entlade-Widerstand mindestens um Faktor 100 größer machen als der
» erwartete Innenwiderstand der Zelle. Besser 1000, da die Balance-Ladungen
» gering sein werden und damit die Gesamtlast auch gering gehalten werden
» kann.
»
» xy hat weiter oben vorgeschlagen, den obersten FET als P-Kanal auszuführen
» und mit einem Masse-Signal durchzuschalten.
» - das kann man so machen - aber der Fehler in der Ansteuerung ist
» sprichwörtlich "vorprogrammiert".
» Irgendwann liest jemand den Code und schmeißt die Zeile mit dem EXOR für
» den high-Transistor raus .....
»
» Auch deine Frage nach dem Kondensator - das stellt eine Art Bootstrap dar,
» mit dem die Spannungslage für den obersten Transistor "aufgepumpt" werden
» kann.
»
» Nachdem zur Ansteuerung der Transistoren ohnehin ein µC eingesetzt wird,
» können folgende Arten realisiert werden:
» - Pumpen der Gatespannung mit dem obersten oder dem darunter liegenden
» Transistor.
» - statt Lastwiderständen können auch Spulen oder Kondensatoren im
» Switch-Mode verwendet werden.
» -- > damit können dann z.B. die abgegeriffenen Ladungen wieder "oben" in
» den Batteriestapel eingespeist werden und bleiben somit im Gesamtsystem.
» --> darum habe ich auch keine Verbindung mit Widerständen zwischen die
» Drain und Bat.Anschlüsse eingezeichnet.
» - der µC hat AD-Eingänge, mit denen die Spannung entweder am Drain oder an
» der Batt-Zelle gemessen werden können. Vorteiler ist zu kalibrieren,
» eventuell mit Z-Dioden oder Kondensatoren arbeiten um die dynamischen
» Spannungen besser zu bewerten.
»
»
» cu St

hi,
es ohne R-Last zu machen, hatte ich mir kurz nach dem post auch schon anders überlegt. das gerät soll ultra caps balancen. also zellen mit 3000-3700F und diese auch noch mit bis zu 10 parallel. da ist eine unglaubliche power vorhanden. darum arbeite ich auch erstmal nicht mit der umladung über C-L elemente. die lipo anwendung wird später folgen in einer ausbaustufe. dort gibt es aber auch mächtige hochstrom zellen, die schon fast richtung elektro leistungen gehen. bin gespannt, wie viel man da tatsächlich balancen muss.
wenn aus einer cap-bank 1000A für zB 2 min gezogen werden während sie von einem netzteil gespeist wird, nützt balancen mit 1A denke ich herzlich wenig.

das mit dem boosten/pumpen der gate spannung ist mir noch nicht bewusst. addiert sich die ladung des kondensators kurzzeitig zu der betriebsspannung, wenn der uln das gate auf masse zieht?