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Transistor-Schaltung analysieren (Elektronik)

verfasst von Kendiman, 02.07.2013, 20:03 Uhr

» Danke für die bildhafte Erkärung, nun verstehe ich es (hoffentlich).
» An R1 fällt keine Spannung ab, weil es keine Eingangsspannung angelegt ist,
» oder?
» »
Hat mit der Eingangsspannung nichts zu tun. Die Eingangsspannung ist das
kleine Signal,z.B. Mikrofon, das man verstärken will. Die Eingangsspannung ist
eine Wechselspannung, die über den Eingangskondensator zum Gate gelangt.
Sie ist so klein, dass sie den Arbeitspunkt des FET nicht beeinflusst.
»
» Ist es nicht egal, ob die physikalische oder technische Stromrichtung
» angegeben ist? Natürlich solange diese Angabe eindeutig ist.
»
Halte Dich immer an die technische Stromrichtung. Denn alle Gesetze der
Elektrotechnik basieren darauf.
Alles andere verwirrt nur.
»
» Aber wenn man die Stromrichtung hat, hat man doch damit automatisch auch
» die Spannungsrichtung (Gegenrichtung vom Strom), oder stimmt es nicht?
»
Wenn man den Spannungspfeil von Plus nach Minus und den Strom im
äußeren Stromkreis von Plus nach Minus annimmt, dann hat man die wenigsten
Schwierigkeiten und muss nicht immer umdenken.
Wenn sich zwei über Elektrotechnik unterhalten, so sollten beide
von den gleichen Voraussetzungen ausgehen.
»

» » Physikalisch ist daher die Gatespannung immer negativ gegenüber Source
»
Ja, sonst gibt es keine Sperrschicht und der FET funktioniert nicht
Versuch mal das Wort Sperrschicht beim FET durch das Wort Isolierschicht (=Sperrschicht)
gedanklich zu ersetzen.
Diese sogenannte Sperrschicht hat die Aufgabe das Gate von N_Kanal zu trennen (isolieren).
Die Sperrschicht wird umso breiter, Je negativer die Spannung U_GS ist
Sie kann so breit werden, dass sie den N-Kanal abschnürt.
Dann ist der FET gesperrt (abgeschürt).
» (da der Strom duch R3 nur positiv sein kann wegen der positiven Spannung an Ub,
» » Drain und R2.)
» »
» Wenn am Gate auch eine negative Spannung angelegt ist, was normalerweise
» der Fall sein wird.
» Oder verstehe ich es falsch?
»
Es gibt 2 Möglichkeiten.
1. man legt eine negative Spannung an das Gate ( über einen Widerstand)
2. man macht die Sourceelektrode positiver. (durch Spannung U_R3)
Beides hat den Gleichen Effekt.
Beispiel: Anton (Gate) und Bernhard (Source) sind gleich groß.
Wenn Anton (Gate) kleiner werden soll als Bernhard (Source),
Dann muss man Anton (Gate) absenken.
Wenn das nicht geht, dann kann man Bernhard (Source) anheben.
Beides hat den Gleichen Effekt.
Anton (Gate) erscheint kleiner als Bernhard (Source)
»
» » Ein J-FET funktioniert nur, wenn die G-S Sperrschicht auch sperrt- dann
» ist
» » die Sperrschicht eine Isolierung wie die Oxidschicht bei einem MosFET.
» » Sobald die G-S Spannung die Sperrschicht leitend macht (bei knapp 700mV)
» » funktioniert ein Sperrschicht FET nicht mehr.
» » (Als Ergänzug zu Kendiman an den TE)
» »
» Muss sie immer sperren, damit man den J-FET als funktionstüchtig ansehen
» kann??
»
Ja - Ja
»
» Die Sperrschicht muss doch kontrolliert gesperrt und geöffnet werden
» können, damit man den Transistor als Schalter oder als Verstärker verwenden
» kann, oder?
»
Nein, nein
»
Mit der Sperrschicht beim J-FET sperrt man nicht den FET
sondern isoliert den Gateanschluß vom N-Kanal.
Der N-Kanal leitet den Strom. Der Gateanschluß hat ja zum N-Kanal
durch die Isolationsschicht (=Sperrschicht) keine Verbindung.
Aber das elektrische Feld wirkt vom Gate in den N-Kanal hinein und steuert den Strom.
Das elektrische Feld kann so groß werden, dass der Kanal abschnürt wird.
Dann fließt kein Strom mehr. Das hat das elektrische Feld bewirkt
und nicht die Sperrschicht.
Die kommt nur bei bipolaren Transistoren zum tragen.
»
» Wenn die Sperrschicht immer sperrt, dann kann ja kein Strom über DS
» fließen???!?
»
Zwischen Drain und Source sehe ich keine Sperrschicht, sonder nur den N-Kanal.
Die Sperrschicht beim FET ist seitlich zwischen dem N-Kanal und Gate.
Und da sorgen wir für, dass diese Sperrschicht immer gesperrt ist.
Der Transistorstrom fließt nur durch den N-Kanal DS und nicht über das Gate GS bzw DG
Siehe auch vorher. Hier liegt der Hund begraben !
Du meinst immer eine Sperrschicht muss immer einen Transistor sperren.
Beim J-FET ist das nicht der Fall. Hier wirkt sie seitlich am N-Kanal
als Isolator. Die Wirkung (das Sperren) geschieht durch das elektrische Feld.

Gruß Kendiman