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Transistor-Schaltung analysieren (Elektronik)

verfasst von Otto, 01.07.2013, 16:46 Uhr

Hallo Kendiman,

» » Wird in der Praxis nicht Glas (SiO2??) als Isolator eingesetzt?
» » Glas müsste doch absolut nicht leitend sein oder doch?
» »
» Ja so ist es.
» Wenn man auf ein Siliziumplättchen Sauerstoff leitet, dann geht das
» Silizium
» mit dem Sauerstoff eine Verbindung ein. Si + O = ?

Hopla, ich meinte natürlich SiO Siliciummonoxid und nicht Siliciumdioxid - mein Fehler.

» »
» » Ok, das muss ich noch kappieren.
» »
» wichtig ! Dazu noch alle Eigenschaften wie Spannungsverstärkung,
» Eingangswiderstand
» Ausgangswiderstand Phasenverschiebung usw.
» »

Als ob es nicht komplex genug war

» » Da gibt es ja verschiedene Grundschaltungsarten - die Source- und
» » Drain-Scahltung sind ziemlich ähnlich.
» »
» Nein --> Da sind so viel Unterschiede und kaum Gemeinsamkeiten.
Ok, alles klar.

» »
» » Deshalb bin ich etwas verwirrt.
» » Hier habe ich eine Übersicht davon gefunden:
» »
» »
» »
» » http://www.didactronic.de/fet.htm
» »
» Übersicht ist sehr gut.

Finde ich auch.

» Schaltung 1 hat Spannungsverstärkung (größere Amplitude am Ausgang)
» und eine Phasenkehrung des Signals (Sinus verläuft entgegengesetzt)
» Schaltung 2 hat keine Spannungsverstärkung und keine Phasenverschiebung.
» »

Ok, jetzt habe ich meine Brille aufgesetzt - tatsächlich, diese Unterschiede sind mir vorhin gar nicht aufgefallen.

» » Die Polarität von UB ist aber identisch, deshalb verstehe ich es so,
» dass
» » bei beiden Source der Ausgang ist.
» »
» Ausgang ist da, wo das Signal entnommen wird.
» Schaltung 1. am Drainanschluß.
» Schaltung 2. am Sourceanschluß.
» »
Mir geht ein Licht auf! Daran habe ich gar nicht gedacht - DANKE!

» » Sollte meine Aussage richtig sein, dann verstehe ich nicht, warum sie
» » unterschiedlich geschaltet sein sollten??
» »
» » Ups, da habe ich bei der Korrektur gepfuscht.
» » Wenn du diese meintest, dann sollten die Widersprüche elementiert sein
» s.
» » Bild.
» » Ansonste bitte um einen Tipp, in welchem Bereich sich die Widersprüche
» » befinden.
» »
» 1. I_D = I_S = I_R2 = I_R3 (in einer Reihenschaltung Fließt überall der
» gleiche Strom.
» 2. Damit U_R2 = 1 V und U_R3 ebenfalls 1 V
» 3. Dann beträgt U_DS = 3,3 V - 1 V -1 V = 1,3 V

Diese Werte habe ich ja auch s. Bild.

» 4. U_R3 entspricht der negativen Vorspannung des Gates ( U_R3 = -U_GS), also -1 V

Das verstehe ich nicht ganz:
Du schreibst in 1., 2. und 3. dass U_R3 = +1V ist bzw. I_R2 = I_R3, was ich auch so berechnet habe,
aber in 4. drehst du plötzlich das Vorzeichen von U_R3 von + auf -.

Das kann ich nicht nachvollziehen. R2 und R3 sind doch in Serie, wie du auch geschrieben hast,
dann können sie doch nicht unterschiedliche Vorzeichen haben.
Außerdem stimmt dann die Maschenregel von U0 - U_R2 - U_DS - U_R3 = 0 nicht mehr

Dort hätten wir dann:
3,3V = 1V + 1,3V + (-1V)
3,3V = 1,3V ???

» 5. Du entnimmst aus dem Diagramm aber -0,2 V. Dein U_GS ist -0,2 V
» Was ist nun richtig ? Da sind aber noch weitere Unklarheiten.

Ja ich habe U_GS vom Diagramm abgelesen, weil ich ja die Berechnung für I_D = 0,25mA durchführe
und im Diagramm steht ja diese U_GS für I_D = 0,25mA.

Da bin ich mir auch nicht ganz sich, ob man U_GS vom Kennlienenfeld ablesen muss - das wäre ja zu einfach.
Aber anderer seits verstehe ich nicht, warum sie dann bei I_D = 0,25mA steht??

Habe ich einen Denkfehler??

» Da sind aber noch weitere Unklarheiten.

In wie fern? Bzgl. meiner Berechnung oder der Schaltung an sich?

» »
» » Kurze Frage zu den Bezeichnungen:
» » Die FETs werden ja im Gegensatz zu den Bipolartransistoren PNP und NPN
» » Unipolartransistoren genannt.
» »
» » Werden die Bipolartransistoren deshalb bipolar genannt, weil zwei Ströme
» IB
» » und IC dadurch fließen - also von zwei Polen so zu sagen?
» »
» Beim bipolaren fließt der Strom über unterschiedlich dotierte (gepolte)
» Schichten (PNP oder NPN)

Achso deshalb, ok jetzt verstehe ich es.

» »
» » Und bei den FETs fließt ja kein Strom über Gate, wie ich es jetzt
» gelernt
» » habe , sondern nur über einen n- bzw. p-Kanal - deshalb unipolar?
» »
» Ja, so ist es.
»
Zumindest habe ich doch etwas richtig

» Im Unterschied zum MOS-FET wird beim J-FET die Isolationsschicht
» durch die Sperrschicht eines PN-Übergangs gebildet (gesperrte Diode
» isoliert auch)
» Statt eines metallenen Gateanschluß wird eine P-dotierte Zone (Schicht)
» diffundiert,
» die mit den N-Kanal eine Sperrschicht bildet.
»
Ok, alles klar.

Kendiman, ich weiß nicht, wie ich dir Danke sagen soll. Du hast mir heute so sehr geholfen und ich habe jede Menge
von dir gelernt.

Vielen herzlichen DANK!!!

Schöne Grüße
Otto