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Transistor-Schaltung analysieren (Elektronik)

verfasst von Kendiman, 01.07.2013, 15:37 Uhr

Hallo,

» Wird in der Praxis nicht Glas (SiO2??) als Isolator eingesetzt?
» Glas müsste doch absolut nicht leitend sein oder doch?
»
Ja so ist es.
Wenn man auf ein Siliziumplättchen Sauerstoff leitet, dann geht das Silizium
mit dem Sauerstoff eine Verbindung ein. Si + O = ?

» » Der Eingang der Schaltung ist das Gate.
» » Der Ausgang ist der Sourceanschluß.
» » Dann handelt es sich um eine Drainshaltung.
»
» Ok, das muss ich noch kappieren.
»
wichtig ! Dazu noch alle Eigenschaften wie Spannungsverstärkung, Eingangswiderstand
Ausgangswiderstand Phasenverschiebung usw.
»
» Da gibt es ja verschiedene Grundschaltungsarten - die Source- und
» Drain-Scahltung sind ziemlich ähnlich.
»
Nein --> Da sind so viel Unterschiede und kaum Gemeinsamkeiten.
»
» Deshalb bin ich etwas verwirrt.
» Hier habe ich eine Übersicht davon gefunden:
»
»
»
» http://www.didactronic.de/fet.htm
»
Übersicht ist sehr gut.
»
» Wenn ich dort das Bild Nr. 1 (Source-Schaltung) mit dem Bild Nr. 2
» (Drain-Schaltung) vergleiche, sehe ich nur den Unterschied, dass in der
» Drain-Schaltung einen Spannungsteiler gibt.
»
Schaltung 1 hat Spannungsverstärkung (größere Amplitude am Ausgang)
und eine Phasenkehrung des Signals (Sinus verläuft entgegengesetzt)
Schaltung 2 hat keine Spannungsverstärkung und keine Phasenverschiebung.
»

» Die Polarität von UB ist aber identisch, deshalb verstehe ich es so, dass
» bei beiden Source der Ausgang ist.
»
Ausgang ist da, wo das Signal entnommen wird.
Schaltung 1. am Drainanschluß.
Schaltung 2. am Sourceanschluß.
»
» Sollte meine Aussage richtig sein, dann verstehe ich nicht, warum sie
» unterschiedlich geschaltet sein sollten??
»
» Ups, da habe ich bei der Korrektur gepfuscht.
» Wenn du diese meintest, dann sollten die Widersprüche elementiert sein s.
» Bild.
» Ansonste bitte um einen Tipp, in welchem Bereich sich die Widersprüche
» befinden.
»
1. I_D = I_S = I_R2 = I_R3 (in einer Reihenschaltung Fließt überall der gleiche Strom.
2. Damit U_R2 = 1 V und U_R3 ebenfalls 1 V
3. Dann beträgt U_DS = 3,3 V - 1 V -1 V = 1,3 V
4. U_R3 entspricht der negativen Vorspannung des Gates ( U_R3 = -U_GS), also -1 V
5. Du entnimmst aus dem Diagramm aber -0,2 V. Dein U_GS ist -0,2 V
Was ist nun richtig ? Da sind aber noch weitere Unklarheiten.
»
» Kurze Frage zu den Bezeichnungen:
» Die FETs werden ja im Gegensatz zu den Bipolartransistoren PNP und NPN
» Unipolartransistoren genannt.
»
» Werden die Bipolartransistoren deshalb bipolar genannt, weil zwei Ströme IB
» und IC dadurch fließen - also von zwei Polen so zu sagen?
»
Beim bipolaren fließt der Strom über unterschiedlich dotierte (gepolte) Schichten (PNP oder NPN)
»
» Und bei den FETs fließt ja kein Strom über Gate, wie ich es jetzt gelernt
» habe , sondern nur über einen n- bzw. p-Kanal - deshalb unipolar?
»
Ja, so ist es.

Im Unterschied zum MOS-FET wird beim J-FET die Isolationsschicht
durch die Sperrschicht eines PN-Übergangs gebildet (gesperrte Diode isoliert auch)
Statt eines metallenen Gateanschluß wird eine P-dotierte Zone (Schicht) diffundiert,
die mit den N-Kanal eine Sperrschicht bildet.

Gruß Kendiman