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Transistor-Schaltung analysieren (Elektronik)

verfasst von Otto, 01.07.2013, 14:09 Uhr
(editiert von Otto am 01.07.2013 um 14:11)

Hallo Kendiman,

» » Welche Bedinung muss erfüllt sein? (Wenn es aufwendig ist, sie zu
» erklären,
» » dann lese ich es nach - musst du nicht darauf eingehen)
» »
» Ein Isolator sollte keine freien Elektronen haben, die eventuell Strom
» leiten.
» »
Wird in der Praxis nicht Glas (SiO2??) als Isolator eingesetzt?
Glas müsste doch absolut nicht leitend sein oder doch?

» » » hat man die Isolierschicht durch eine Oxid-Schicht ersetzt und damit
» den
» » MOS-FET
» » » erfunden.
» »
» » Ok, ich muss in Chemie etwas nachholen
» »
» Oxidschichten zählen zu den besten Isolatoren und sind leicht
» herzustellen.
» »

und wahrscheinlich auch billig - Metalle im Freien unterm Regen stehen lassen, damit spart man auch Lagerkosten :lol3:

» »
» » » In der gegebenen Schaltung habe ich einige Unklarheiten entdeckt.
» » » Es ist eine Verstärkerschaltung mit einem J-FET in Drainschaltung.
» »
» » Drainschaltung oder Source?? Die Source liegt doch auf Masse (abgesehen
» vom
» » R3).
» »
» Der Eingang der Schaltung ist das Gate.
» Der Ausgang ist der Sourceanschluß.
» Dann handelt es sich um eine Drainshaltung.

Ok, das muss ich noch kappieren.
Da gibt es ja verschiedene Grundschaltungsarten - die Source- und Drain-Scahltung sind ziemlich ähnlich.
Deshalb bin ich etwas verwirrt.
Hier habe ich eine Übersicht davon gefunden:

http://www.didactronic.de/fet.htm

Wenn ich dort das Bild Nr. 1 (Source-Schaltung) mit dem Bild Nr. 2 (Drain-Schaltung) vergleiche, sehe ich nur den Unterschied, dass in der Drain-Schaltung einen Spannungsteiler gibt.
Die Polarität von UB ist aber identisch, deshalb verstehe ich es so, dass bei beiden Source der Ausgang ist.
Sollte meine Aussage richtig sein, dann verstehe ich nicht, warum sie unterschiedlich geschaltet sein sollten??

» » » Die Angaben sind widersprüchlich.
» »
» » Jetzt müsste es stimmen, oder? (s. Bild im ursprünglichen Beitrag)
» »
» Sind immer noch Widersprüche.
»

Ups, da habe ich bei der Korrektur gepfuscht.
Wenn du diese meintest, dann sollten die Widersprüche elementiert sein s. Bild.
Ansonste bitte um einen Tipp, in welchem Bereich sich die Widersprüche befinden.

» Ich habe ein Prinzip-Schaltbild eines MOS-FET gezeichnet.
» Das Gate ist eine Metallschicht, auf die man negative Ladung aufbringen
» kann.
» Diese negative Ladung hat ein elektrisches Feld (elektrische Wirkung) und
» wirkt über die Oxidschicht in den N-Kanal hinein.
» Gleichnahmige Ladungen stoßen sich bekanntlich ab.
» Dadurch müssen die fließenden Elektronen in N_Kanal ausweichen.
» Der Weg wird für sie immer enger.
» Je mehr negative Ladung auf der Gate-Platte ist, umso stärker ist die
» Wirkung auf die fließenden Elektronen in N_Kanal.
» Der Kanal wird somit immer enger für die fließenden Elektronen.
» Ist die Gatespannung groß genug, so kann man den N-Kanal ganz dicht
» machen.
» Ist keine Gatespannung vorhanden, so können die Elektronen ungehindert
» fließen.
» Darum nennt man diese Transistoren " selbstleitende N-Kanal MOS-FET.

Suppper bildhafte Erklärung, jetzt wird es mir noch klarer.
DANKE 1000x für die extra Mühe!

Kurze Frage zu den Bezeichnungen:
Die FETs werden ja im Gegensatz zu den Bipolartransistoren PNP und NPN Unipolartransistoren genannt.

Werden die Bipolartransistoren deshalb bipolar genannt, weil zwei Ströme IB und IC dadurch fließen - also von zwei Polen so zu sagen?
Und bei den FETs fließt ja kein Strom über Gate, wie ich es jetzt gelernt habe , sondern nur über einen n- bzw. p-Kanal - deshalb unipolar?

Vielen Dank nochmals für alles

Schöne Grüße
Otto