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Transistor-Schaltung analysieren (Elektronik)

verfasst von Kendiman, 01.07.2013, 13:05 Uhr
(editiert von Kendiman am 01.07.2013 um 13:36)

» Guten Morgen Kendiman,
»
» »
» » Hallo,
» »
» » Wenn man eine Sperrschicht hat, so muss darüber nicht immer ein Strom
» » fließen.
»
» Muss nicht immer oder kann gar nicht? Ist es nicht wie ein Kondensator mit
» Isolierschicht?
»
ja
»
» » Der Strom in einem J-FET fließt entlang einer Sperrschicht.
»
» Ok.
»
» » Betrachte die Sperrschicht nur als isolierende Schicht, die den Strom
» » zwingt nur
» » im N-Kanal zu fließen. Da diese Sperrschicht nur bedingt gut isoliert,
»
» Welche Bedinung muss erfüllt sein? (Wenn es aufwendig ist, sie zu erklären,
» dann lese ich es nach - musst du nicht darauf eingehen)
»
Ein Isolator sollte keine freien Elektronen haben, die eventuell Strom leiten.
»
» » hat man die Isolierschicht durch eine Oxid-Schicht ersetzt und damit den
» MOS-FET
» » erfunden.
»
» Ok, ich muss in Chemie etwas nachholen
»
Oxidschichten zählen zu den besten Isolatoren und sind leicht herzustellen.
»
» » Über diese Sperrschicht kann man ein elektrisches Feld auf den N-Kanal
» » einwirken lassen
» » und je nach Größe der angelegten Steuerspannung (U GS) den N-Kanal so
» » verengen,
» » dass kein strom mehr fließt. Im angegebenen Link gut erklärt.
» »
»
» Ich fange langsam die FETs zu verstehen und finde sie sehr interessant.
» Bisher war ich nur mit den bipolar Transistoren vorbelasstet, deshalb diese
» Verwirrung
»
» » In der gegebenen Schaltung habe ich einige Unklarheiten entdeckt.
» » Es ist eine Verstärkerschaltung mit einem J-FET in Drainschaltung.
»
» Drainschaltung oder Source?? Die Source liegt doch auf Masse (abgesehen vom
» R3).
»
Der Eingang der Schaltung ist das Gate.
Der Ausgang ist der Sourceanschluß.
Dann handelt es sich um eine Drainshaltung.
» » Der Widerstand R4 hat für diese Verstärkerschaltung keine Bedeutung.
» » Er ist sogar hinderlich, denn er verringert die sowieso schon geringe
» » Spannung von 3,3 V
»
» Meinst du evtl. R2?? R4 gibt es ja nicht in dieser Schaltung.
»
Natürlich R2
» » In dem Bild hast Du die U_DS mit 1 V berechnet. Das ist aber der
» » Spannungsabfall an R4
» » Damit muss am R3 ebenfalls 1 V abfallen ( entspicht -U_GS ). Dann bleibt
» » für die U_DS Strecke 1,3 V übrig.
»
» Danke für den Hinweis. Ich hatte die Berechnung zwar korrigiert, aber das
» Bild nicht aktualisiert.
»
» » Die Angaben sind widersprüchlich.
»
» Jetzt müsste es stimmen, oder? (s. Bild im ursprünglichen Beitrag)
»
Sind immer noch Widersprüche.

Ich habe ein Prinzip-Schaltbild eines MOS-FET gezeichnet.
Das Gate ist eine Metallschicht, auf die man negative Ladung aufbringen kann.
Diese negative Ladung hat ein elektrisches Feld (elektrische Wirkung) und
wirkt über die Oxidschicht in den N-Kanal hinein.
Gleichnahmige Ladungen stoßen sich bekanntlich ab.
Dadurch müssen die fließenden Elektronen in N_Kanal ausweichen.
Der Weg wird für sie immer enger.
Je mehr negative Ladung auf der Gate-Platte ist, umso stärker ist die
Wirkung auf die fließenden Elektronen in N_Kanal.
Der Kanal wird somit immer enger für die fließenden Elektronen.
Ist die Gatespannung groß genug, so kann man den N-Kanal ganz dicht machen.
Ist keine Gatespannung vorhanden, so können die Elektronen ungehindert fließen.
Darum nennt man diese Transistoren " selbstleitende N-Kanal MOS-FET.

Gruß Kendiman