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Transistor-Schaltung analysieren (Elektronik)

verfasst von Kendiman, 30.06.2013, 15:58 Uhr
(editiert von Kendiman am 30.06.2013 um 17:11)

» » » U_E ist zwar nicht explizit angegeben, aber bedeutet es wirklich, dass
» » man
» » » davon ausgehen kann, dass am Gate kein Eingangssignal vorhanden ist?
» »
» » Da vom Arbeitspunkt die Rede ist...
»
» Ok.
»
» »
» » » Knickspannung von 0,7V
» »
» » Die gibts nicht, eine Parabel hat keinen 'Knick'.
» »
» Ich meine die Durchlassspannung oder Kniespannung oder wie auch immer, die
» bei Si-Dioden etwa 0,7V beträgt.
» http://de.wikipedia.org/wiki/Schwellenspannung
»
Die Sperrschicht ist immer in Sperrrichtung geschaltet. Also sehr hochohmig.
Man benötigt die Sperrschicht als Isolationsschicht und nicht als Übergangsschicht .
Beim MOS-FET (Metall-Oxid-Semiconductor) wird hierfür eine Oxidschicht eingebracht.
»
» » » verstehe ich es falsch?
»
ja
» »
» » Es fließt kein Strom übers Gate, also auch nicht über R1.
»
» Ok. Aber aus Neugier würde ich gerne wissen, wie man diese Sperrschicht
» (Diode) in der Berechnung einbeziehen würde, wenn es eine Eingangssignal gäbe.
»
garnicht.
»
» Was müsste ich in so einem Fall noch in der Maschengleichung
» aufnehmen ausser R_1, R_3 und R_GS?
»
» Ich verstehe den Zusammenhang nicht so ganz.
» Nach meinem sehr bescheidenen Wissen liegt diese Diode auf der GS Strecke
» und deshalb verstehe ich nicht, wieso man sie nochmals extra in der
» Maschengleichung berücksichtigen muss, obwhol sie in U_GS schon
» mitenthalten ist.
»
» Natürlich, wenn ich das richtig verstanden habe.

Hallo,

Beim FET fliesst kein Strom über eine Sperrschicht sondern nur durch einen dotierten Kanal
Darum N-Kanal J-FET (J= Junktion = Sperrschicht)
Informiere Dich im Internet z.B. hier

http://elektronik-kurs.net/elektronik/jfet-sperrschicht-feldeffekttransistor/

Gruß Kendiman