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Board-AnsichtFrage zu JFET Elektronik-Kurs (Elektronik)
verfasst von Seb 
, 20.03.2013, 22:37 Uhr
» »
» » Okay, also so wie ich mir's gedacht habe, aber wie sieht das dnen nun
» mit
» » den Potentialen aus. Also das R dafür sorgen solle, das S und G auf
» » gleichem Potential seien.
» » Wie gesagt, so wie das verschaltet ist, müsste doch ein Strom von U_e
» nach
» » U_S fließen, wobei bei sagne wir mal +5V
» » 4,3V am Widerstand abfallen und weitere 0,7 V an der Diode.
» » Damit ist G_S auf einem Potential von 5 V während das Gate aber auf
» einem
» » Potential von 4,3V liegt... oO
»
» Wenn man einen überdimensionalen Strom über die Source – Drain Strecke
» speisen würde, könnte es vielleicht zu dem von die befürchteten Effekt
» kommen. Aber dann währe die Schaltung arg fehldimensioniert.
Wieso denn nur dann?
Es fließt doch ein Strom durch die Drain - Source Strecke
und ein Strom von U_e nach U_s, in der Strecke liegen zwischen U_e und GND oder Ub- nur Widerstand und Diode.
Da die Diode ab 0,7 V leitet fallen dort 0,7V ab, sprich Gate = 0,7 V Und der Rest am Widerstand damit dann Ub+ an Source und 0,7 an Gate oder habe ich hier etwas nicht berücksichtigt? Wieswo sollte das erst ab hohen Strömen in der Drain-Source Strecke passieren. Wenn durch die Drain-Source Strecke mehr Strom fließt ist sie doch niederohmig, und damit auch nicht mehr soviel Spannung an Source oO...
Gesamter Thread:
, 20.03.2013, 21:41, 20.03.2013, 21:56