» » » Hallo, ich habe eine Frage zum TTL-NAND-Gate, wie es heir dargestellt
» » » wird:
» » »
» » » http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/a/ac/7400_Circuit.svg
» » »
» » » Luat meinem Script ist folgendes beschrieben:
» » » Sind die beiden Eingänge auf H geschaltet, so wird V1 leitend und die
» » falsch, V1 sperrt aber die Kollektor-Basis-Diode leitet
» » » Basis von V2 bekommt positives Potential. Hierdurch wird auch V2
» » leitend.
» » ok
» » » Das V2 leitend wird, bewirkt wiederrum das V3 auch leitend wird und
» V4
» » » schließt.
» » falsch, V2 wird leitend, dadurch wird V4 leitend und
» » V3 sperrt
» » »
» » » Nun meine Frage:
» » » Warum bewirkt eine Druchschaltung des Transistors V2, dass V3 leitend
» » » wirkt, V4 jedoch sperrt ?
» » tut er nicht
» » » Nach meinem logischen Verständnis müssten beide leitend werden.
» » nein, V3 sperrt, weil Ube < 0,6V wg. V5
» » »
» » » Bitte helft mir
» » Skript selber mitgeschrieben?
» » Grüße
» » Altgeselle
»
» sorry hatte mich beim abtipseln vertan, hier steht auch, dass V3 sperrt
» und V4 durchschaltet.
»
» Aber meine Frage ist immer noch nicht ganz beantwortet. Warum ist UBE von
» V3 < 0,6 Volt ???
» An der Basis liegt doch wegen dem Spannunsteiler ca 2V an, am Emitter
» liegt 0.7V an (wegen der Diode).
» Macht für mich als UBE 1.3V.
»
» ???
Wenn V2 leitet, liegen an seinem Emitter ca. 0,7V an wg.
Ube von V4. Am Kollektor von V2 liegen wg. Ucesat ca.
0,8V an. Dies ist auch die Basisspannung von V3. Die 0,8V
verteilen sich auf Ube von V3 und auf V5. Beide sperren. |
Thread-Ansicht
Reihenfolge
