Forum

Hallo!
Ich habe eine Frage zum bipolaren NPN Transistor.
Und zwar bilden sich ja 2 Raumladunszonen aus die frei von Majoritätsladungsträgern sind, also hochohmig.
Legt man eine Spannung an verschwindet die RLZ zwischen Emitter und Basis fast ganz, die RLZ zwischen Basis und Collector verschwindet vollständig, also geht der Widerstand gegen 0 und der Transistor wird in Sättigung betrieben.
Wird Ucb = Uce?
Zur eigentlichen Frage:
Warum wird der Widerstand bzw die Raumladungszone zwischen Basis und Collector 0?
R ist ja gegeben durch den spezifischen Widerstand mal länge des Leiters durch die Querschnittsfläche.
Jetzt meine ich gehört zu haben, dass mit steigender Anzahl der Elektronen - die ja von der Basis in die Raumladungszone zwischen Basis und Collector eindringen - der spezifische Widerstand kleiner wird. Aber irgendwie fehlt mir da die Formel bzw der Zusammenhang. Habe grad ein bisschen gegoogelt aber nichts befriedigendes gefunden und dachte vielleicht kann mir hier jemand weiterhelfen
besten Dank schonmal und Gruß,
Horst

» Hallo!
» Ich habe eine Frage zum bipolaren NPN Transistor.
» Und zwar bilden sich ja 2 Raumladunszonen aus die frei von
» Majoritätsladungsträgern sind, also hochohmig.
» Legt man eine Spannung an verschwindet die RLZ zwischen Emitter und Basis
» fast ganz, die RLZ zwischen Basis und Collector verschwindet vollständig,
» also geht der Widerstand gegen 0 und der Transistor wird in Sättigung
» betrieben.
» Wird Ucb = Uce?
Nein.
Zunächst einmal kann man den Transistor auch ohne Sättigung betreiben, dann hängt die Leitfähigkeit von Ube ab, bzw. vom Basisstrom. Die meisten Verstärker arbeiten nach diesem Prinzip.
Uce bleibt im voll durchgeschalteten Zustand immer zwischen 0,6 und 0,7V, während Uce bis auf 0,3V abfallen kann. Ucb wären dann 0,4V.

» Zur eigentlichen Frage:
» Warum wird der Widerstand bzw die Raumladungszone zwischen Basis und
» Collector 0?

Nein, das ergibt sich schon aus der Rechnung oben. Wo der Widerstand 0 ist, fällt keine Spannung ab. Außerdem ist wichtig, in welcher Richtung die Spannung angelegt wird, schließlich sind es zwei Dioden.

» R ist ja gegeben durch den spezifischen Widerstand mal länge des Leiters
» durch die Querschnittsfläche.
» Jetzt meine ich gehört zu haben, dass mit steigender Anzahl der Elektronen
» - die ja von der Basis in die Raumladungszone zwischen Basis und Collector
» eindringen - der spezifische Widerstand kleiner wird. Aber irgendwie fehlt
» mir da die Formel bzw der Zusammenhang. Habe grad ein bisschen gegoogelt
» aber nichts befriedigendes gefunden und dachte vielleicht kann mir hier
» jemand weiterhelfen
» besten Dank schonmal und Gruß,
» Horst

Die Vorgänge im Transistor sind heute noch nicht vollständig geklärt. Außerdem ist jeder Transistor individuell, bezogen auf seine Dotierung, die Breite der RLZ und der dotierten Bereiche.
Wozu brauchst Du das? Mach es nicht zu kompliziert. Die Rundumbeschaltung ist für die Funktionsweise in 99% der Fälle viel Wichtiger als die inneren Vorgänge.

--
Und die Grundgebihr is aa scho drin. DOS is jo nett..

Hallo!
Danke für die Antwort. Naja ich muss gesetehen, dass ich das für ein Fachgespräch in einem FH Praktikum brauche.
Unser Professor sagte, dass der Transistor in Sättigung betrieben wird, wenn beide Raumladungszonen soweit es geht abgebaut sind.
Dann wollte er von mir wissen, warum der Widerstand der Raumladungszone zwischen Basis und Collector bevor diese abgebaut ist unendlich ist und wieso der Widerstand 0 wird wenn die Raumladungszone abgebaut ist.
Ich habe versucht, damit zu argumentieren, dass der Widerstand der RLZ hochohmig ist, weil dort keine frei beweglichen Ladungsträger zum Transport zur Verfügung stehen.
Und das der Widerstand gegen 0 geht wenn die RLZ abgebaut wird weil die Elektronen ja dort hinein diffundieren und dann wieder zum Ladungstransport zur Verfügung stehen aber das hat ihm wohl nicht gereicht.
Er hat mich gefragt wie der Widerstand definiert ist aber da wusste ich dann auch nicht weiter, bis auf mit dem spezifischen Widerstand mal der länge durch die Fläche...
Vielleicht war es dumm von mir hier nachzufragen(das soll kein Angriff sein) weil aussenstehende ja schlecht feststellen können was der Prof eigentlich von mir wissen will.
Besten Gruß,
Horst

» Hallo!
» Danke für die Antwort. Naja ich muss gesetehen, dass ich das für ein
» Fachgespräch in einem FH Praktikum brauche.
» Unser Professor sagte, dass der Transistor in Sättigung betrieben wird,
» wenn beide Raumladungszonen soweit es geht abgebaut sind.
Das stimmt schon, dann ist der Transistor voll durchgeschaltet.

» Dann wollte er von mir wissen, warum der Widerstand der Raumladungszone
» zwischen Basis und Collector bevor diese abgebaut ist unendlich ist und
» wieso der Widerstand 0 wird wenn die Raumladungszone abgebaut ist.
» Ich habe versucht, damit zu argumentieren, dass der Widerstand der RLZ
» hochohmig ist, weil dort keine frei beweglichen Ladungsträger zum
» Transport zur Verfügung stehen.
Richtig.
» Und das der Widerstand gegen 0 geht wenn die RLZ abgebaut wird weil die
» Elektronen ja dort hinein diffundieren und dann wieder zum
» Ladungstransport zur Verfügung stehen aber das hat ihm wohl nicht
» gereicht.
Richtig. Die Frage ist aber auch, warum aus der Dotierungszone des Collektors keine Ladungsträger dort hineindifundieren.
» Er hat mich gefragt wie der Widerstand definiert ist aber da wusste ich
» dann auch nicht weiter, bis auf mit dem spezifischen Widerstand mal der
» länge durch die Fläche...
R=U/I.

--
Und die Grundgebihr is aa scho drin. DOS is jo nett..

» »
Jawoll danke für die Antwort
ich probiers ihm einfach nochmal zu erklären
Gruß,
Horst