Hallo,
für große Sperrspannungen bei pn-Dioden ist die Breite der Raumladungszone proportional zur Wurzel der Sperrspannung. Was passiert nun wenn die Diode nicht ausreichend dimensioniert wurde, wenn also die Länge des schwächer dotierten n- oder p-Gebietes kleiner als die Raumladungsweite ist? Gibt es, sobald die RLZ größer als die Abmessung der Diode wird, einen Durchbruch? Oder steigt die Feldstärke linear mit der außen angelegten Sperrspannung an?
Wie hängt eigentlich die Feldstärke in der Raumladungszone von der außen angelegten Sperrspannung ab, wenn die Raumladungszone noch kleiner als die Diodenlänge ist und warum ist diese nicht über den ganzen RLZ-Bereich konstant? Mathematisch ist es einleuchtend (Integral der konst. Raumladungsdichte), aber kann mir das jemand anschaulich erklären?? Ich zerbreche mir seit einigen Tagen den Kopf darüber! Danke schon mal... |
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