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Kann mir wer sagen, was der Bulk-Anschluss bei MOSFETs bewirkt? Googeln ergibt nur, dass der sowieso mit Source verbunden wird.
Gruß, Franz

» Kann mir wer sagen, was der Bulk-Anschluss bei MOSFETs bewirkt?

Der ist strukturbedingt, und nur bei Lateral-MOSFETs separat herausführbar.

» Googeln ergibt nur, dass der sowieso mit Source verbunden wird.

Bei Vertikal-MOSFETs ist er strukturbedingt sowieso mit Source verbunden. Wenn er bei Lateral-MOSFETs separat herausgeführt ist muss er (bei n-Kanal) stets das niedrigste Potential haben, sonst beginnt die zwangsläufig vorhandene Diode zu leiten.

» Wenn er bei Lateral-MOSFETs separat herausgeführt ist muss er (bei
» n-Kanal) stets das niedrigste Potential haben, sonst beginnt die
» zwangsläufig vorhandene Diode zu leiten.

Welche Diode? Es gibt sowohl zum Source- als auch zum Drain-Anschluss einen pn-Übergang. Kommt das dann nicht einem npn-Transistor gleich? Kann man dadurch auch den Widerstand zwischen S und D steuern?

Da ich ja nicht unbedingt rebellisch sein möchte und ich schon öfter gehört habe, dass es den Profis immer ganz recht ist, wenn die Threads so konkret wie möglich formuliert sind, werde ich (wenn auch verspätet) versuchen, dem nachzukommen.
Es geht darum, dass ich gerne folgende CMOS-Gatter, in denen nicht unbedingt Source und Bulk verbunden sind, verstehen würde.

http://www.elektronik-kompendium.de/forum/upload/20080118224837.bmp

» http://www.elektronik-kompendium.de/forum/upload/20080118224837.bmp

Das sind Lateral-MOSFETs.

Von der Wirkung her kannst du dir den Bulkanschluss auch wie das Gate eines J-FET vorstellen, nur nutzt man den halt nicht.

» Es geht darum, dass ich gerne folgende CMOS-Gatter, in denen nicht
» unbedingt Source und Bulk verbunden sind, verstehen würde.
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» http://www.elektronik-kompendium.de/forum/upload/20080118224837.bmp

Bei solchen CMOS-Gattern nennt man den "Bulk"-Anschluss der n-Kanal-Transistoren "Substrat" (d.i. das p-dotierte Silizium-Grundmaterial), und den "Bulk"-Anschluss der p-Kanal-Transistoren "n-well" bzw. "n-Wanne". Der Substrat-Anschluss liegt in diesem Fall immer auf der negativsten Spannung (wie x y bereits berichtete), der n-Wannen-Anschluss auf dem positivsten Potential - wie auch bei allen Transistoren der Gatter in Deinem o.a. Bild.

Es gibt Schaltungen, bei denen die Bulk-Anschlüsse einiger Transistoren *nicht* auf dem niedrigsten bzw. höchsten Potential liegen; solche Transistoren müssen (in ICs) in eigenen isolierten "Wannen" untergebracht werden. Bei solchen Transistoren wird die zusätzliche Steuermöglichkeit über das "Bulk" - der so genannte "Body Effekt" - ausgenützt.

Eine sehr schöne interaktive Darstellung dieser Steuerungsmöglichkeiten ist zu finden unter
http://olli.informatik.uni-oldenburg.de/weTEiS/weteis/transistor1.htm

... und speziell der Body-Effekt unter
http://olli.informatik.uni-oldenburg.de/weTEiS/weteis/transistor3.htm

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Gruß, erikl

Höchst interessant, vielen Dank für die vielen Antworten.