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Hi zusammen,

meine Frage: Wenn man die Breakdown Voltage (Drain<->Source) bei einem PowerMosFet überschreitet und ein Strom fließt, ist der Fet dann automatisch zerstört, auch wenn der Strom die zulässigen Werte des Fets nicht überschreitet?

Gruß und vielen Dank!

» Hi zusammen,
»
» meine Frage: Wenn man die Breakdown Voltage (Drain<->Source) bei einem
» PowerMosFet überschreitet und ein Strom fließt, ist der Fet dann
» automatisch zerstört, auch wenn der Strom die zulässigen Werte des Fets
» nicht überschreitet?
»
» Gruß und vielen Dank!

Nein. Allerdings sind auch die Grenzwerte für sehr kurzzeitige Überlastungen
zu beachten, sowohl was den Strom als auch die Verlustleistung betrifft.

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Gruß, erikl

Vielen Dank für die Antwort!

Beachte im Datenblatt das U_DS/I_D-Diagramm. Es zeigt Dir die maximale Leistung, abhaengig natuerlich von der Gehaeusetemperatur und Einschaltdauer. Das Diagramm nennt sich oft SAFE-OPERATING-AREA.

Im Gegensatz zum bipolaren Transistor hat der FET keinen Second-Breakdown, der sich in einem zweiten Knick im Diagramm auswirkt. Hier ist der FET klar im Vorteil.

Gruss
Thomas

» Im Gegensatz zum bipolaren Transistor hat der FET keinen Second-Breakdown,
» der sich in einem zweiten Knick im Diagramm auswirkt. Hier ist der FET klar
» im Vorteil.

Kommt auf die Applikation an: Den schnellen Second-Breakdown-Mechanismus von
Bipolar-Transistoren kann man z.B. dazu ausnützen, Nanosekunden-Impulse mit Sub-Nanosekunden-Anstiegszeit zu erzeugen, z.B. für Laser-Anwendungen.

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Gruß, erikl

» » Im Gegensatz zum bipolaren Transistor hat der FET keinen
» Second-Breakdown,
» » der sich in einem zweiten Knick im Diagramm auswirkt. Hier ist der FET
» klar
» » im Vorteil.
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» Kommt auf die Applikation an: Den schnellen Second-Breakdown-Mechanismus
» von
» Bipolar-Transistoren kann man z.B. dazu ausnützen, Nanosekunden-Impulse
» mit Sub-Nanosekunden-Anstiegszeit zu erzeugen, z.B. für Laser-Anwendungen.

Wie funktioniert das, falls man es in wenig Worten zum Ausdruck bringen kann? Das hat vermutlich kaum etwas mit Temeperatureffekten zu tun, oder vielleicht doch bei ultrakleinen Dimensionen?

Gruss
Thomas

» » Den schnellen Second-Breakdown-Mechanismus
» » von Bipolar-Transistoren kann man z.B. dazu ausnützen, Nanosekunden-Impulse
» » mit Sub-Nanosekunden-Anstiegszeit zu erzeugen, z.B. für
» Laser-Anwendungen.
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» Wie funktioniert das, falls man es in wenig Worten zum Ausdruck bringen
» kann? Das hat vermutlich kaum etwas mit Temeperatureffekten zu tun, oder
» vielleicht doch bei ultrakleinen Dimensionen?
»
» Gruss
» Thomas

@ OP: das ist etwas off-Thema, sorry!
@ Thomas:
Nein, wir haben nur den extrem schnellen Second-Breakdown-Mechanismus von Si-Planartransistoren ausgenützt: Energiespeicher-Kondensator wird rel. langsam auf eine Spannung in Richtung oberhalb der Uce0-Durchbruchspannung aufgeladen. Beim Erreichen bricht der Transistor (B-E kurzgeschlossen) durch - erst über Uce0, geht dann aber sofort in den Second-Breakdown, der Kondensator entlädt sich über ihn. Dieser Impuls wird kapazitiv auf eine einigermaßen angepasste Leitung ausgekoppelt - wir verwendeten doppelt-Kupfer-kaschiertes PCB geigneter Breite (für die Widerstandsanpassung) und Länge (für die gewünschte Impulslänge, ca. 10 cm/ns); Transistor, Auskoppelkondensator und Laserdiode direkt daran gelötet.
Bei guter Widerstandsanpassung (Transistor-Breakdown, Leitung und Diode, Größenordnung einige Ohm) erhält man damit schöne rechteckige ns-Impulse (wir bekamen bei ca. 7cm*30cm PCB etwa 3ns lange Impulse mit einer Anstiegs- und (nahezu) auch Abfallzeit von 350ps - aber das war die des Oszis ). Die schnelle Abfallzeit bekommt man natürlich nur bei guter Anpassung Leitung - Diode. Die Wiederholfrequenz war nur im unteren kHz-Bereich, das hat der TO3-Transistor ausgehalten. Und die Laserdiode auch!

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Gruß, erikl

» @ Thomas:
» Nein, wir haben nur den extrem schnellen Second-Breakdown-Mechanismus von
» Si-Planartransistoren ausgenützt: Energiespeicher-Kondensator wird rel.
» langsam auf eine Spannung in Richtung oberhalb der
» Second-Breakdown-Durchbruchspannung aufgeladen. Beim Erreichen bricht der ..... .... ... .. .

Vielen Dank fuer die Beschreibung. Ich verstehe zwar von was Du schreibst, trotzdem liegt es weit oberhalb von dem was ich in der Elektronik beherrsche.

Gruss
Thomas

» ... trotzdem liegt es weit oberhalb von dem
» was ich in der Elektronik beherrsche.
»
» Gruss
» Thomas

Nein, das nehm' ich Dir jetzt wirklich nicht ab!

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Gruß, erikl