Hallo zusammen,
ich plane gerade ein kleines Hochvolt-Projekt und überlege, den STW11NM80 (this one: https://www.kasuo.com/product/stw11nm80-datasheet-price-pdf/). Laut Datenblatt ist es ein 800-V N-Kanal MOSFET, ausgelegt für bis zu 11 A und mit einem recht niedrigen RDS(on). Er wird oft in Schaltnetzteilen, Flyback-Wandlern und allgemein Hochvolt-Schaltungen eingesetzt. Mein Einsatzfall wäre ein einfacher Leistungs-Schalter in einem Netzteil, mit Eingangsspannungen um 300–400 V DC. Die Werte im Datenblatt passen gut, aber ein paar Punkte sind mir noch unklar:
Ich bin unsicher, wie ich die Gate-Ansteuerung optimal löse, damit der MOSFET sauber durchschaltet. Auch bei der Kühlung frage ich mich, ob ein normaler Kühlkörper reicht oder ob ich größere Kupferflächen einplanen sollte. Und wie empfindlich ist er bei Schaltspitzen? Muss ich zwingend Snubber oder Gate-Schutzdioden einbauen?
Falls jemand den STW11NM80 schon in Hochvolt-Netzteilen oder Flybacks genutzt hat, würde mich eure praktische Erfahrung interessieren. Wie verhält er sich thermisch und beim schnellen Schalten?
Danke schon mal für jede Rückmeldung! |