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Ich baue derzeit eine Halbbrücke mit den MOSFETs IRF3205 und dem Treiber IR2112. Die Schaltung habe ich weitgehend gemäß dem Datenblatt aufgebaut. Zwischen VB und VS habe ich zwei parallel geschaltete Kondensatoren eingesetzt – einen Keramikkondensator (100 nF) und einen Elektrolytkondensator (22 µF). Zwischen COM und VCC befindet sich ebenfalls ein 22 µF-Elko. Zusätzlich habe ich eine Diode 1N5819 zwischen VCC und VB integriert.

An den Gates der MOSFETs sind jeweils 10 ?-Widerstände verbaut. Als Eingangssignale verwende ich einen Signalgenerator mit zwei Kanälen für HIN und LIN, beide mit einer Frequenz von 10 kHz.

Als Last dient mir eine Kombination aus einer Spule, die in Reihe mit einem Kondensator (22 µF) geschaltet ist, der wiederum parallel zu einem Widerstand von 10 ? liegt.

Das Problem, das aktuell auftritt, ist, dass die Gatesignale der beiden MOSFETs nicht vollständig rechteckig sind.

» Ich baue derzeit eine Halbbrücke mit den MOSFETs IRF3205 und dem Treiber
» IR2112. Die Schaltung habe ich weitgehend gemäß dem Datenblatt aufgebaut.
» Zwischen VB und VS habe ich zwei parallel geschaltete Kondensatoren
» eingesetzt – einen Keramikkondensator (100 nF) und einen
» Elektrolytkondensator (22 µF). Zwischen COM und VCC befindet sich
» ebenfalls ein 22 µF-Elko. Zusätzlich habe ich eine Diode 1N5819 zwischen
» VCC und VB integriert.
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» An den Gates der MOSFETs sind jeweils 10 ?-Widerstände verbaut. Als
» Eingangssignale verwende ich einen Signalgenerator mit zwei Kanälen für
» HIN und LIN, beide mit einer Frequenz von 10 kHz.
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» Als Last dient mir eine Kombination aus einer Spule, die in Reihe mit einem
» Kondensator (22 µF) geschaltet ist, der wiederum parallel zu einem
» Widerstand von 10 ? liegt.
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» Das Problem, das aktuell auftritt, ist, dass die Gatesignale der beiden
» MOSFETs nicht vollständig rechteckig sind.
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Kein Schaltplan, keine Angaben zur Spannungsversorgung, kein Foto des Aufbaus, unbeschriftete Oszillogramme.

So wird das nichts.

» Ich baue derzeit eine Halbbrücke mit den MOSFETs IRF3205 und dem Treiber
» IR2112. Die Schaltung habe ich weitgehend gemäß dem Datenblatt aufgebaut.
» Zwischen VB und VS habe ich zwei parallel geschaltete Kondensatoren
» eingesetzt – einen Keramikkondensator (100 nF) und einen
» Elektrolytkondensator (22 µF). Zwischen COM und VCC befindet sich
» ebenfalls ein 22 µF-Elko. Zusätzlich habe ich eine Diode 1N5819 zwischen
» VCC und VB integriert....
Eine kleine Skizze erspart viele Worte, und ist immer eindeutig


» Das Problem, das aktuell auftritt, ist, dass die Gatesignale der beiden
» MOSFETs nicht vollständig rechteckig sind.
Welche sind das auf dem Oszillogramm?

Wie die Schaltung konkret aufgebaut ist, und wie das Signal abgegriffen wird, hat auch einen großen Einfluss auf das gemessene Signal (insbesondere mit einem Schwingkreis als Last).

Ich habe die Schaltung fast genau so aufgebaut – siehe Bild unten.
(Der Aufbau verwendet die Komponenten, die ich oben bereits erwähnt habe.)

Das erste Oszilloskop-Bild zeigt das Signal am HO (grüne Farbe), das zweite Bild zeigt das Signal am LO (ebenfalls grün).
Das gelbe Rechtecksignal stammt von meinem Signalgenerator (CH1, Frequenz = 10 kHz, Amplitude = 5 V, Offset = 2,5 V, Duty Cycle = 45 %).

Die Versorgungsspannung beträgt 15 V.

Da der Aufbau auf der Steckplatine aufgrund der vielen Verdrahtungen recht unübersichtlich ist, habe ich kein Foto davon hochgeladen.

» Da der Aufbau auf der Steckplatine aufgrund der vielen Verdrahtungen recht
» unübersichtlich ist, habe ich kein Foto davon hochgeladen.

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