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Hallo zusammen

Ich habe eine kurze Frage.
Ich lese mir gerade einen Text über die Funktion des JFETs durch. Bei dem pnp JFET.
Ich kapier einfach nicht, warum die Sperrschicht nach oben hin breiter wird.

wenn ich bei p eine negative Spannung habe, ist sie in Sperrrichtung gepolt und es bildet sich eine Raumladungszone. Die sollte ja überall gleich breit sein, oder nicht?
es sei denn es ist so, als könnte ich zB den pn übergang separat betrachten und minus an p hängen und + an n (sperrichtung). Dementsprechend ergibt sich eine Raumladungszone bestimmter Breite (zB bei 3V).
Wenn ich jetzt UDS habe, die zw. 0 und 12V variiert wie das ja zB im JFET der Fall ist. Dann müsste ich es so sehen, dass die Spannung auf der p Seite immer gleich bleibt, aber auf der n Seite immer grösser wird.
Demnach müsste es dann ja nach oben hin immer grösser werden. Verstehe ich es so richtig?
Vielen Dank

» pnp JFET

Sowas gibts nicht.

Und deine Bildchen zeigen nur eine Diode.

» Hallo zusammen
»
» Ich habe eine kurze Frage.
» Ich lese mir gerade einen Text über die Funktion des JFETs durch. Bei dem
» pnp JFET.
» Ich kapier einfach nicht, warum die Sperrschicht nach oben hin breiter
» wird.
»
» wenn ich bei p eine negative Spannung habe, ist sie in Sperrrichtung gepolt
» und es bildet sich eine Raumladungszone. Die sollte ja überall gleich breit
» sein, oder nicht?
» es sei denn es ist so, als könnte ich zB den pn übergang separat betrachten
» und minus an p hängen und + an n (sperrichtung). Dementsprechend ergibt
» sich eine Raumladungszone bestimmter Breite (zB bei 3V).
» Wenn ich jetzt UDS habe, die zw. 0 und 12V variiert wie das ja zB im JFET
» der Fall ist. Dann müsste ich es so sehen, dass die Spannung auf der p
» Seite immer gleich bleibt, aber auf der n Seite immer grösser wird.
» Demnach müsste es dann ja nach oben hin immer grösser werden. Verstehe ich
» es so richtig?
» Vielen Dank
»

Die angelegte Spannung zieht am negativen Pol die positiven Ladungsträger
und am positiven Pol die negativen Ladungsträger ab.
Ungleichnamige Ladungen ziehen sich an.
Weil Ladungsträger abgezogen werden, verbreitert sich die Sperrschicht.

» » pnp JFET
»
» Sowas gibts nicht.
»
» Und deine Bildchen zeigen nur eine Diode.

Hmm, was ist dann das?
Ist vom Elektronik.Kompendium.de


Könntest du mir nicht einfach sagen, ob ich mit der Diodentheorie, um den Effekt zu erklären, richtig liege??
Und sonst könntest es du mir bitte einfach erklären.
Ich kapier nämlich nicht wie der Effekt zustande kommt, sprich warum die RLZ oben breiter ist..

» » Hallo zusammen
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» » Ich habe eine kurze Frage.
» » Ich lese mir gerade einen Text über die Funktion des JFETs durch. Bei
» dem
» » pnp JFET.
» » Ich kapier einfach nicht, warum die Sperrschicht nach oben hin breiter
» » wird.
» »
» » wenn ich bei p eine negative Spannung habe, ist sie in Sperrrichtung
» gepolt
» » und es bildet sich eine Raumladungszone. Die sollte ja überall gleich
» breit
» » sein, oder nicht?
» » es sei denn es ist so, als könnte ich zB den pn übergang separat
» betrachten
» » und minus an p hängen und + an n (sperrichtung). Dementsprechend ergibt
» » sich eine Raumladungszone bestimmter Breite (zB bei 3V).
» » Wenn ich jetzt UDS habe, die zw. 0 und 12V variiert wie das ja zB im
» JFET
» » der Fall ist. Dann müsste ich es so sehen, dass die Spannung auf der p
» » Seite immer gleich bleibt, aber auf der n Seite immer grösser wird.
» » Demnach müsste es dann ja nach oben hin immer grösser werden. Verstehe
» ich
» » es so richtig?
» » Vielen Dank
» »
»
» Die angelegte Spannung zieht am negativen Pol die positiven Ladungsträger
» und am positiven Pol die negativen Ladungsträger ab.
» Ungleichnamige Ladungen ziehen sich an.
» Weil Ladungsträger abgezogen werden, verbreitert sich die Sperrschicht.
»
»

hallo kendimen

achso, weil die Spannungsdifferenz nach oben hin ja grösser wird, verbreitert sich die RLZ.. :D
mann, klar. ok vielen Dank, sorry für meinen Hänger.

» Hmm, was ist dann das?

p-JFET oder n-JFET. Die Dotierung des Kanals ist namensgebend.


» Ich kapier nämlich nicht wie der Effekt zustande kommt, sprich warum die
» RLZ oben breiter ist..

Weil nicht nur zwischen Gate und Source Spannung anliegt.

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» » » Ich habe eine kurze Frage.
» » » Ich lese mir gerade einen Text über die Funktion des JFETs durch. Bei
» » dem
» » » pnp JFET.
» » » Ich kapier einfach nicht, warum die Sperrschicht nach oben hin breiter
» » » wird.
» » »
» » » wenn ich bei p eine negative Spannung habe, ist sie in Sperrrichtung
» » gepolt
» » » und es bildet sich eine Raumladungszone. Die sollte ja überall gleich
» » breit
» » » sein, oder nicht?
» » » es sei denn es ist so, als könnte ich zB den pn übergang separat
» » betrachten
» » » und minus an p hängen und + an n (sperrichtung). Dementsprechend
» ergibt
» » » sich eine Raumladungszone bestimmter Breite (zB bei 3V).
» » » Wenn ich jetzt UDS habe, die zw. 0 und 12V variiert wie das ja zB im
» » JFET
» » » der Fall ist. Dann müsste ich es so sehen, dass die Spannung auf der p
» » » Seite immer gleich bleibt, aber auf der n Seite immer grösser wird.
» » » Demnach müsste es dann ja nach oben hin immer grösser werden. Verstehe
» » ich
» » » es so richtig?
» » » Vielen Dank
» » »
» »
» » Die angelegte Spannung zieht am negativen Pol die positiven Ladungsträger
»
» » und am positiven Pol die negativen Ladungsträger ab.
» » Ungleichnamige Ladungen ziehen sich an.
» » Weil Ladungsträger abgezogen werden, verbreitert sich die Sperrschicht.
» »
» »
»
» hallo kendimen
»
» achso, weil die Spannungsdifferenz nach oben hin ja grösser wird,
» verbreitert sich die RLZ.. :D
» mann, klar. ok vielen Dank, sorry für meinen Hänger.

So ist es:

Siehe Bild

» » Hmm, was ist dann das?
»
» p-JFET oder n-JFET. Die Dotierung des Kanals ist namensgebend.
»
»
» » Ich kapier nämlich nicht wie der Effekt zustande kommt, sprich warum die
» » RLZ oben breiter ist..
»
» Weil nicht nur zwischen Gate und Source Spannung anliegt.

Sorry ich möchte dich nicht negativ kritisieren, aber deine Antworten sind irgendwie unausreichend. Wenn ich jetzt nämlich gefragt hätte: Warum ist der Himmel blau, wäre deine Antwort wahrscheinlich gewesen: Weil die Sonne scheint. Gerade physikalisch ist das nicht.

» Sorry ich möchte dich nicht negativ kritisieren, aber deine Antworten sind
» irgendwie unausreichend.

Ich hab dir was zum denken übrig gelassen. Fallende Groschen stärken die Erinnerung.

» » » » Hallo zusammen
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» » » » Ich habe eine kurze Frage.
» » » » Ich lese mir gerade einen Text über die Funktion des JFETs durch.
» Bei
» » » dem
» » » » pnp JFET.
» » » » Ich kapier einfach nicht, warum die Sperrschicht nach oben hin
» breiter
» » » » wird.
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» » » » wenn ich bei p eine negative Spannung habe, ist sie in Sperrrichtung
» » » gepolt
» » » » und es bildet sich eine Raumladungszone. Die sollte ja überall
» gleich
» » » breit
» » » » sein, oder nicht?
» » » » es sei denn es ist so, als könnte ich zB den pn übergang separat
» » » betrachten
» » » » und minus an p hängen und + an n (sperrichtung). Dementsprechend
» » ergibt
» » » » sich eine Raumladungszone bestimmter Breite (zB bei 3V).
» » » » Wenn ich jetzt UDS habe, die zw. 0 und 12V variiert wie das ja zB im
» » » JFET
» » » » der Fall ist. Dann müsste ich es so sehen, dass die Spannung auf der
» p
» » » » Seite immer gleich bleibt, aber auf der n Seite immer grösser wird.
» » » » Demnach müsste es dann ja nach oben hin immer grösser werden.
» Verstehe
» » » ich
» » » » es so richtig?
» » » » Vielen Dank
» » » »
» » »
» » » Die angelegte Spannung zieht am negativen Pol die positiven
» Ladungsträger
» »
» » » und am positiven Pol die negativen Ladungsträger ab.
» » » Ungleichnamige Ladungen ziehen sich an.
» » » Weil Ladungsträger abgezogen werden, verbreitert sich die
» Sperrschicht.
» » »
» » »
» »
» » hallo kendimen
» »
» » achso, weil die Spannungsdifferenz nach oben hin ja grösser wird,
» » verbreitert sich die RLZ.. :D
» » mann, klar. ok vielen Dank, sorry für meinen Hänger.
»
» So ist es:
»
» Siehe Bild
»
»

danke für das Bild
ich hätte noch eine weitere Frage und zwar:
was ist denn der Unterschied zwischen UDS(P) und UGS(P)?
Bei UDS(P) stossen die Sperrschichten ganz zusammen und es fliesst kein ID mehr. Bei UGS(P) steht hier auch dass dann die Strecke Source-Drain gesperrt ist (ID=0).
Was ist nun der Unterschied??

» ich hätte noch eine weitere Frage und zwar:
» was ist denn der Unterschied zwischen UDS(P) und UGS(P)?
» Bei UDS(P) stossen die Sperrschichten ganz zusammen und es fliesst kein ID
» mehr. Bei UGS(P) steht hier auch dass dann die Strecke Source-Drain
» gesperrt ist (ID=0).
» Was ist nun der Unterschied??

>Bei UDS(P) stossen die Sperrschichten ganz zusammen und es fliesst kein ID<

Hier habe ich nichts verstanden.

UDS ist die Betriebsspannung
UGS ist die Steuerspannung. Je nach Größe der Spannung fließt
mehr oder weniger Strom.


Kennlinienfeld gibt darüber Auskunft
z.B Zero Gate Voltage Drain Current ist eine Angabe.
Das ist der Strom der fließt wenn UGS = 0V ( maximaler Strom )

z.B. Gate Source Cut-off Voltage
Das ist die Spannung am Gate, bei der der Transistor sperrt.