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Hallo,

habe mir da folgende Variante ausgedacht:
Ich messe den Spannungsabfall der C-E-Strecke bei kaltem Transistor und dem reguären Betriebsstrom. Dann lasse ich den Transistor auf Betriebstemperatur kommen, nach dieser Zeit messe ich den Spannungsabfall erneut. Als "Betriebsspannung" benutze ich eine Konstantstromquelle.
Da ich ja alle notwendigen elektrischen Werte und die Temperaturen (Gehäuse oder Kühlkörper) nun kenne und die Temperaturabhängigkeit hoffentlich dem Datenblatt zu entnehmen ist, kann ich die Chiptemperatur einfach berechnen.

Sehe ich das falsch?

LG Sel

goggle mal nach

"diode als temperatursensor"

und nimm gleich den PN Übergang als Sensor
»
» Sehe ich das falsch?
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» LG Sel

» Sehe ich das falsch?

Du musst die B-E Strecke messen.

» Hallo,
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» habe mir da folgende Variante ausgedacht:
» Ich messe den Spannungsabfall der C-E-Strecke bei kaltem Transistor und dem
» reguären Betriebsstrom. Dann lasse ich den Transistor auf
» Betriebstemperatur kommen, nach dieser Zeit messe ich den Spannungsabfall
» erneut. Als "Betriebsspannung" benutze ich eine Konstantstromquelle.
» Da ich ja alle notwendigen elektrischen Werte und die Temperaturen (Gehäuse
» oder Kühlkörper) nun kenne und die Temperaturabhängigkeit hoffentlich dem
» Datenblatt zu entnehmen ist, kann ich die Chiptemperatur einfach
» berechnen.
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» Sehe ich das falsch?
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» LG Sel

Hallo,
ja, im Prinzip geht das, aber:
B-E-Strecke nehmen.
Strom konstant möglichst <100µA um die Eigenerwärmung klein zu halten.
Eventuell leckstromarmen Kondensator parallel schalten, um Störungen auszufiltern.

Grüße
Altgeselle

» goggle mal nach
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» "diode als temperatursensor"
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» und nimm gleich den PN Übergang als Sensor

Etwa -2 mV/K linear.

--
Gruss
Thomas

Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
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Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
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