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Hallo,

ich schreibe im Rahmen meines Studium im Fach Elektronik am Mittwoch
eine Prüfung und gehe gerade die letzten Vorbereitungen (Altklausuren)
durch. Jetzt kommen mir bei wenigen Aufgaben doch noch Fragen. Bei
folgender komme ich selber zu keiner Lösung.

Ein Gleichstrommotor ist anzusteuern (Abb. 4). Die Betriebsspannung ist positiv.Als Leistungsbauelement soll ein Bipolartransistor eingesetzt werden.
a) Wie sieht die Leistungsstufe aus (Skizze), wenn der Motor mit einem NPN-Transistor nach dem Prinzip “Low Side Drive“ angesteuert werden soll?
b) Wie sieht die Leistungsstufe aus (Skizze), wenn der Motor mit einem NPN-Transistor nach dem Prinzip “High Side Drive“ angesteuert werden soll?
c) Wie sieht die Leistungsstufe aus (Skizze), wenn der Motor mit einem PNP-Transistor nach dem Prinzip “High Side Drive“ angesteuert werden soll?
d) Welcher Leitfähigkeitstyp ist beim Prinzip “High Side Drive” einfacher anzusteuern? (Weshalb?)

Die Abb.4 habe ich als Anhang mit hochgeladen.
Kann mir da einer helfen?

Gruß,
Manuel

http://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber#Definition_zu_Low-_und_High-Side_Schalter

HI,
lowside drive sollte klar sein - Transistor kommt in den Strompfad vom Motor zur Masse.

High-side ist dann folgerichtig mit dem Schaltelement im Strompfad vom +U zum Motor.

Die jeweils andere Seite wird dann direkt mit Ubat (Lowside-Drive LSD) oder mit Masse (highside-Drive HSD) verbunden.

Für einen NPN braucht es eine um 0,7V positivere Spannung an der Basis als am Emitter.
Lowside ist also trivial - Ubat über Vorwiderstand an die Basis.
Highside braucht eine positivere Hilf-Spannung als Ubat (Bootstrap-Schaltungen mit Kondensatoren helfen nur bei gepulstem Betrieb.)

Für den PNP-Transistor wird bei High-Side-Drive die Basis über Vorwiderstand mit Masse verbunden.
PNP im LSD bräuchte dagegen wieder eine negative Hilfspannung.

Also wäre PNP als HSD einfacher.

Aber PNP-Transistoren haben oft schlechtere Uce-Satt und damit mehr Verlustleistung.

cu st aus Neckarsulm