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Servus,

stimmt das, dass Uce im Sättigungsbereich von NPN-Transistoren im Allgemeinen größer ist als von PNP-Transistoren?

Gruss
Hauser

» Servus,
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» stimmt das, dass Uce im Sättigungsbereich von NPN-Transistoren im
» Allgemeinen größer ist als von PNP-Transistoren?
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» Gruss
» Hauser

Hallo,
im Allgemeinen ist das nicht der Fall.

Grüße
Altgeselle

» Hallo,
» im Allgemeinen ist das nicht der Fall.
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» Grüße
» Altgeselle

Hallo,
das würde ich spontan auch so sagen. Die FRage hat mich aber neugierig gemacht, und so habe ich mal in einige Datenblätter geschaut. Oft unterscheiden sich die Angaben bei komplementären Typen für UCEsat nicht. Es gibt aber Ausnahmen, wo die pnp in Bezug auf UCEsat niedriger liegen - allerdings mit abweichenden Messbedingungen (Ic und Ib). Ich wäre da also nicht sicher, ob das ein echter physikalischer Unterschied ist oder ob es nur an der Präsentation der Daten liegt. Und zum Messen hab ich jetzt keine Lust....
Hartwig

PS..
da war doch noch was: ist es nicht so, dass ein invers betriebener Transistor ein deutlich niedrigeres UCEsat hat - vielleicht hat die Frage damit was zu tun??

hi,

wenn er mit pnp Ge meint, ist das so.....

--
MfG
Peter

» da war doch noch was: ist es nicht so, dass ein invers betriebener
» Transistor ein deutlich niedrigeres UCEsat hat -

So ist es. Es gibt dazu einen interessanten Artikel
vom Thomas Schaerer hier im ElKo.
Gruss
Harald