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Hallo.

Ich versuche derzeit, mich in das Gebiet der Elektronik einzuarbeiten und bin nun bei JFETs angelangt.
Ich habe mir dazu ein Video auf YouTube angesehen: http://youtube.com/watch?v=8XBDsAsOW0I
Diese Serie verfolge ich seit Teil 1. Mein Problem ist jetzt, dass ich anscheinend einige grundlegende Dinge nicht richtig verstanden habe, da mir der Schaltkreis bei ungefähr 11:00 im Video leider einige Probleme bereitet. Es scheint, als gäbe es zwei Energiequellen. Eine ist für den Drain des JFET zuständig und die andere für die anderen beiden Anschlüsse. Mein Problem ist jetzt, dass es dort ein Ground gibt. Wofuer ist das gut? Der Schaltkreis wäre doch auch ohne dieses vollständig, oder? Ansonsten habe ich auch noch ein paar Probleme, aber dashier wäre das Wichtigste.
Wäre nett, wenn mir jemand eine Erklärung geben könnte.

Danke im Voraus!

Hallo,
in diesem Fall ist der "Ground" das gemeinsame Bezugspotenzial - also 0 bzw 0V für beide Spannungsquellen. Die eigentliche Energiequelle der Schaltung ist die rechte Spannungsquelle zwischen Ground und Drain - man könnte das auch mit dem später eingeführten Widerstand als "Lastkreis" oder "Ausgangskreis" bezeichnen. Links am Gate liegt die andere Spannungsquelle, die das Gate steuert, also der "Steuerkreis" oder der "Eingangskreis" Beide Spannungsquellen sind immer auf einen gemeinsamen Anschluss an deinen JFET (oder z. B. auch BJT) bezogen. Der Bezugs-Anschluß gibt der Schaltung dann den Namen (Drain-Schaltung, Source-Schaltung, Gate-Schaltung) - Hier ist es also die Source-Schaltung. Das Eingangssignal liegt also zwischen Gate und Source, das Ausgangssignal zwischen Drain und Source. Das Source der gemeinsame Bezugsanschluss ist, liegt er halt auf "Ground"....
Grüsse
Hartwig

Hallo haiyyu

im Video wird eine Analogie zu einem Wasserkreislauf hergestellt - nicht prinzipiell falsch, aber doch einigermassen verwirrend. Bei JFETs handelt es sich um einen halbleitenden Kanal (n oder p dotiert). Dieser Kanal kann Strom leiten - und zwar im Gegensatz zu Bipolartransistoren in beide Richtungen, weil die Ladungsträger Elektronen im N-Kanal JFET(oder Defektelektronen im P-Kanal JFET) keine Sperrschicht überwinden müssen. Mit einer Feldsteuerung am Gate kann dieser Kanal mehr oder weniger eingeschnürt werden bis zur vollständigen Sperrung des Kanals. Dabei ist es unerheblich, welche Polarität zwischen Drain und Source anliegt. Die Masse hat bei diesen Überlegungen sowieso nichts verloren, vergiss sie einfach !

Mit vielen freundlichen Grüssen Thomas