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Bräse

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16.01.2012,
10:16
 

Spannung an Basis wenn Basis nicht beschaltet? (Elektronik)

Hi!

Kann mir jemand bei folgender Frage bitte helfen? Welche Spannung stellt sich an der Basis eines Bipolartransistors ein, wenn die nicht beschaltet ist und eine Kollektor-Emitterspannung anliegt, die größer ist als die Sättigungsspannung? Also z.B. beim npn 5V Kollektor-Emitterspannung und Basis ist offen. Habe ich dann da 0 Volt an der Basis?

schaerer(R)

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Kanton Zürich (Schweiz),
16.01.2012,
11:15

@ Bräse

Spannung an Basis wenn Basis nicht beschaltet?

» Kann mir jemand bei folgender Frage bitte helfen? Welche Spannung stellt
» sich an der Basis eines Bipolartransistors ein, wenn die nicht beschaltet
» ist und eine Kollektor-Emitterspannung anliegt, die größer ist als die
» Sättigungsspannung?

Was genau meinst Du mit Sättigungsspannung?

Es gibt eine Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung, die dann in Erscheinung tritt, wenn das Verhältnis Kollektor-/Basisstrom wesentlich kleiner ist, als es bezogen auf die Stromverstärkung im quasi-linearen Arbeitsbereich (z.B. bei Uce = 4V, oft typisch angegeben) nötig ist. Die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung beträgt üblicherweise wenige 10 mV bei kleinen Kollektor- und einige 100 mV bei grösseren Kolletorströmen, auch je nach Transistor etwas unterschiedlich.

» Also z.B. beim npn 5V Kollektor-Emitterspannung

Dies kann man gar nicht als grösser von der eben genannten Sättigungsspannung thematisieren, weil...
» . . . . . . . . und Basis ist offen.
... die Basis ja offen und somit stromlos ist.

» Habe ich dann da 0 Volt an der Basis?

Jetzt zu Deiner Frage. Ich habe das selbst nie gemessen. Da jedoch die (innere) Basis-Kollektordiode nicht 100%ig isoliert, wird man zwischen der offenen Basis und dem Emitter eine Spannung messen, sofern man sehr hochohmig misst, bzw. messen kann.

Probier es doch einmal mit einem guten Multimeter aus, das hoffentlich einen Eingangswiderstand von mindestens 10 M-Ohm hat.

Wozu ist diese Information relevant...?

--
Gruss
Thomas

Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9

x y

16.01.2012,
12:16

@ schaerer

Spannung an Basis wenn Basis nicht beschaltet?

» Wozu ist diese Information relevant...?

Um zu lernen was der Unterschied zwischen U_CEO und U_CES ist?

schaerer(R)

Homepage E-Mail

Kanton Zürich (Schweiz),
16.01.2012,
17:45

@ x y

Spannung an Basis wenn Basis nicht beschaltet?

» » Wozu ist diese Information relevant...?
»
» Um zu lernen was der Unterschied zwischen U_CEO und U_CES ist?

Ja, weil U_ces = Kollektor-Emitterspannung unter dem Kriterium von Spitzfindigkeiten (= s) bedeutet.

Quelle: http://www.elektronik-phaenomene.com/ganz-genau-wissen.htm

--
Gruss
Thomas

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Bräse

E-Mail

16.01.2012,
21:04

@ schaerer

Spannung an Basis wenn Basis nicht beschaltet?

» Was genau meinst Du mit Sättigungsspannung?
Ich meinte damit die Spannung, die zwischen Kollektor und Emitter vorhanden ist, wenn der Transistor in die Sättigung geht, d.h. Kollektorspannung sinkt unter die Basisspannung und beide p-n-Übergänge sind leitend. Aber wenn ich mir's nochmal überlege, meinte ich eigentlich nur, dass die Kollektor-Emitterspannung groß genug sein soll, damit noch Normalbetrieb möglich ist. :-D Das also als die Situation, auf die sich meine Frage bezieht. Aber besten Dank für deine Ausführungen zur Sättigungsspannung; was du da geschrieben hast, sollte man wohl auch wissen.

» Jetzt zu Deiner Frage. Ich habe das selbst nie gemessen. Da jedoch die
» (innere) Basis-Kollektordiode nicht 100%ig isoliert, wird man zwischen der
» offenen Basis und dem Emitter eine Spannung messen, sofern man sehr
» hochohmig misst, bzw. messen kann.
»
Das nenne ich eine klare Antwort. :-) Es macht Sinn und ich werde es bei Gelegenheit mit dem Multimeter überprüfen.

» Wozu ist diese Information relevant...?
Weiß ich (noch) nicht. Die Frage kam mir beim Grübeln über die Transistorgrundschaltungen in den Sinn.

schaerer(R)

Homepage E-Mail

Kanton Zürich (Schweiz),
16.01.2012,
22:04

@ Bräse

Spannung an Basis wenn Basis nicht beschaltet?

» » Was genau meinst Du mit Sättigungsspannung?
» Ich meinte damit die Spannung, die zwischen Kollektor und Emitter
» vorhanden ist, wenn der Transistor in die Sättigung geht, d.h.
» Kollektorspannung sinkt unter die Basisspannung und beide p-n-Übergänge
» sind leitend. Aber wenn ich mir's nochmal überlege, meinte ich eigentlich
» nur, dass die Kollektor-Emitterspannung groß genug sein soll, damit noch
» Normalbetrieb möglich ist. :-D Das also als die Situation, auf die sich
» meine Frage bezieht. Aber besten Dank für deine Ausführungen zur
» Sättigungsspannung; was du da geschrieben hast, sollte man wohl auch
» wissen.

Ja, das ist fundamental.

» » Jetzt zu Deiner Frage. Ich habe das selbst nie gemessen. Da jedoch die
» » (innere) Basis-Kollektordiode nicht 100%ig isoliert, wird man zwischen
» der
» » offenen Basis und dem Emitter eine Spannung messen, sofern man sehr
» » hochohmig misst, bzw. messen kann.

» Das nenne ich eine klare Antwort. :-)

Danke. Wobei ganz "lupenrein" ist meine Antwort nicht, weil ich habe zur Erklärung die Basis-Emitter- und die Basis-Kollektor-Diode etwas "isoliert" dargestellt. Das kann u.U. die Erklärung etwas ungenau machen, weil sie berücksichtigt möglicherweise zu wenig genau die dynamischen Raumladungseffekte in den Grenzbereichen von Basis-Kollektor, Basis-Emitter und Kollektor-Emitter. Aber da stösst man in Teile der Physik vor, die zwar sehr wichtig sind, ich Dir als Nicht-Physiker jedoch viel zu wenig genau erklären kann.

» Es macht Sinn und ich werde es bei Gelegenheit mit dem Multimeter überprüfen.

Okay.

» » Wozu ist diese Information relevant...?

» Weiß ich (noch) nicht. Die Frage kam mir beim Grübeln über die
» Transistorgrundschaltungen in den Sinn.

Das Grübeln in diesem Sinne ist eine Tugend. Halte sie wach. Sie kann Dir noch oft gute Dienste leisten. :-D

--
Gruss
Thomas

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